[發(fā)明專利]一種測量沿壁面熱流的平面型熱流傳感器及其標(biāo)定方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911355328.4 | 申請日: | 2019-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN111024269B | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丁炯;王佳音;楊遂軍;葉樹亮 | 申請(專利權(quán))人: | 中國計量大學(xué) |
| 主分類號: | G01K17/00 | 分類號: | G01K17/00;G01K19/00;G01K7/02;G01K7/18 |
| 代理公司: | 杭州奧創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33272 | 代理人: | 王佳健 |
| 地址: | 310018 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 測量 沿壁面 熱流 平面 傳感器 及其 標(biāo)定 方法 | ||
1.一種實(shí)現(xiàn)沿壁面熱流測量的平面型薄膜熱流傳感器,其特征在于,實(shí)現(xiàn)測量溫差的熱電堆印刷在基底表面,同時基底上集成了三個圓弧形薄膜鉑電阻,共同構(gòu)成了平面型薄膜熱流傳感器;所述的熱電堆由多個金鉑熱電偶串聯(lián)而成,鉑電阻為三個半徑不同的同心圓弧,分布在熱電堆的冷熱端兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型薄膜熱流傳感器,其特征在于,所述基底為氧化鋁陶瓷基底上,基底直徑為22mm,厚度為0.36mm,導(dǎo)熱率為36W/m·K。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型薄膜熱流傳感器,其特征在于,所述三個圓弧形薄膜鉑電阻的弧形半徑分別為1.55mm、2.55mm和7.05mm,每個鉑電阻寬為0.1mm,膜厚為10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平面型薄膜熱流傳感器,其特征在于,所述熱電堆由四十四個金鉑熱電偶串聯(lián)而成,呈圓弧狀排布在基底表面;每個金鉑熱電偶極寬0.1mm,在電極兩端重合區(qū)域分別構(gòu)成熱電堆冷端和熱端;其中,熱端所在圓弧半徑為3.5mm,冷端所在的圓弧半徑為6.5mm。
5.對權(quán)利要求1所述的平面型薄膜熱流傳感器進(jìn)行標(biāo)定的方法,其特征在于:
對位于可調(diào)溫度的恒溫場中的傳感器中心加載激光,當(dāng)激光被傳感器表面中心位置吸收后,熱量沿傳感器中心向邊緣傳遞;待熱平衡后,根據(jù)溫度分布規(guī)律,由薄膜鉑電阻的溫度推出熱電堆冷熱端溫度,得到溫度差,建立溫度差和熱電堆輸出的關(guān)系實(shí)現(xiàn)傳感器的靜態(tài)標(biāo)定。
6.如權(quán)利要求5所述的標(biāo)定方法,其特征在于:采用耐高溫探針和對應(yīng)的針套配合在一起并固定在耐高溫PCB上,所述耐高溫探針的位置與傳感器引腳位置相對應(yīng),實(shí)現(xiàn)傳感器測試信號的穩(wěn)定輸出。
7.如權(quán)利要求5所述的標(biāo)定方法,其特征在于:
在薄膜熱流傳感器靜態(tài)標(biāo)定中,熱電偶的熱電勢E與溫度T具有如下關(guān)系:
E=a0+a1T+a2T2+···+a9T9 (1)
其中ai為擬合系數(shù),i=0,1...9;
當(dāng)熱電堆熱端和冷端溫度分別為T1和T2時,根據(jù)熱電堆輸出電勢和溫度的關(guān)系,得到:
Vout=n·[a1(T1-T2)+a2(T12-T22)+...+a9(T19-T29)] (2)
其中,n為熱電堆串聯(lián)的熱電偶數(shù);假設(shè)T1=ΔT+T2,ΔT→0,那么上式簡化為:
Vout≈n(a1+2a2T2+3a3T22···9a9T28)ΔT (3)
根據(jù)定義,式(3)中括號內(nèi)的內(nèi)容即為塞貝克系數(shù);當(dāng)溫差ΔT較小時,塞貝克系數(shù)通過公式(3)實(shí)現(xiàn)測量;在小溫差情況下,提供不同的環(huán)境溫度,便可得到在不同溫度下對應(yīng)的塞貝克系數(shù)。
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