[發(fā)明專利]一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911355283.0
• 申請日: 2019-12-25
• 公開（公告）號: CN111081646B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任玉龍;孫鵬;曹立強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 上海智晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)，包括：

第一載板；

芯片埋入凹槽，所述芯片埋入凹槽設(shè)置在所述第一載板的正面；

第一載板貫通窗口，所述第一載板貫通窗口貫穿所述第一載板的上下表面，且與所述芯片埋入凹槽隔離開；

芯片，所述芯片正面朝上設(shè)置在所述芯片埋入凹槽中；

第二載板，所述第二載板設(shè)置在所述第一載板的背面，所述第二載板內(nèi)設(shè)置有互連線路和/或有源器件和/或無源器件；

巨型銅柱，所述巨型銅柱設(shè)置所述第二載板的上表面，且伸入所述第一載板貫通窗口中，巨型銅柱電連接第二載板的互連線路；

塑封層，所述塑封層覆蓋所述第一載板的正面，且填充所述巨型銅柱與所述第一載板貫通窗口之間的間隙和所述芯片與所述芯片埋入凹槽之間的間隙；

布局布線層，所述布局布線層設(shè)置在所述塑封層的上方，且電連接至所述芯片焊盤和所述巨型銅柱；以及

外接焊球，所述外接焊球設(shè)置在所述布局布線層上方，且電連接至所述布局布線層。

2.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片埋入凹槽的內(nèi)壁還設(shè)置有信號屏蔽結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一載板貫通窗口的俯視圖形為長方形或圓形或其構(gòu)成的陣列。

4.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片通過貼片膠將其背面貼片至所述芯片埋入凹槽的底部。

5.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片的焊盤和所述巨型銅柱的頂面低于所述第一載板的正面。

6.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片的焊盤和所述巨型銅柱的頂面高于所述第一載板的正面。

7.如權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述堆疊封裝結(jié)構(gòu)為晶圓級堆疊形成的封裝結(jié)構(gòu)。

8.一種晶圓級堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

在第一載板上形成芯片埋入凹槽和第一載板貫通窗口；

在芯片埋入凹槽內(nèi)正面貼裝芯片；

在第二載板正面形成巨型銅柱，所述第二載板內(nèi)設(shè)置有互連線路和/或有源器件和/或無源器件，巨型銅柱電連接第二載板的互連線路；

將第一載板的背面和第二載板的正面對準(zhǔn)后進(jìn)行晶圓鍵合；

塑封形成覆蓋第一載板的正面的塑封層；

在塑封層上方形成布局布線層；以及

在布局布線層上面形成外接焊球。

9.如權(quán)利要求8所述的晶圓級堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述將第一載板的背面和第二載板的正面對準(zhǔn)后，所述巨型銅柱位于所述第一載板貫通窗口中；所述塑封層填充所述巨型銅柱與所述第一載板貫通窗口之間的間隙和所述芯片與所述芯片埋入凹槽之間的間隙。