[發(fā)明專利]包括具有擴大部分的溝道結構的三維閃存器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911353740.2 | 申請日: | 2019-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN112117282A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 千志成 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/11568 | 分類號: | H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 具有 擴大 部分 溝道 結構 三維 閃存 器件 | ||
本發(fā)明涉及一種包括具有擴大部分的溝道結構的三維閃存器件。該三維閃存器件包括:下部字線堆疊和上部字線堆疊;單元溝道結構;以及虛設溝道結構,其中單元溝道結構包括:下部單元溝道結構;上部單元溝道結構;以及單元溝道擴大部分,其在下部單元溝道結構和上部單元溝道結構之間并具有比下部單元溝道結構的寬度大的寬度,其中虛設溝道結構包括:下部虛設溝道結構;上部虛設溝道結構;以及在下部虛設溝道結構和上部虛設溝道結構之間的虛設溝道擴大部分,虛設溝道擴大部分具有比下部虛設溝道結構的寬度大的寬度,其中虛設溝道擴大部分的寬度和下部虛設溝道結構的寬度之間的差異大于單元溝道擴大部分的寬度和下部單元溝道結構的寬度之間的差異。
技術領域
實施方式涉及包括具有擴大部分的溝道結構的三維閃存器件。
背景技術
隨著三維閃存器件的集成度提高,已經(jīng)考慮了通過堆疊兩個單位存儲器件來形成一個三維閃存器件的技術。
發(fā)明內(nèi)容
實施方式可以通過提供一種具有單元區(qū)域和延伸區(qū)域的三維閃存器件來實現(xiàn),該三維閃存器件包括:襯底;在襯底上的下部字線堆疊和上部字線堆疊;在下部字線堆疊和上部字線堆疊之間的層間電介質(zhì)層;在單元區(qū)域中的單元溝道結構;以及在延伸區(qū)域中的虛設溝道結構,其中單元溝道結構包括穿透下部字線堆疊并連接到襯底的下部單元溝道結構、穿透上部字線堆疊的上部單元溝道結構以及在下部單元溝道結構和上部單元溝道結構之間的單元溝道擴大部分,單元溝道擴大部分具有比下部單元溝道結構的水平寬度大的水平寬度,其中虛設溝道結構包括穿透下部字線堆疊并連接到襯底的下部虛設溝道結構、穿透上部字線堆疊的上部虛設溝道結構以及在下部虛設溝道結構和上部虛設溝道結構之間的虛設溝道擴大部分,虛設溝道擴大部分具有比下部虛設溝道結構的水平寬度大的水平寬度,其中虛設溝道擴大部分的水平寬度和下部虛設溝道結構的水平寬度之間的差異大于單元溝道擴大部分的水平寬度和下部單元溝道結構的水平寬度之間的差異。
實施方式可以通過提供一種具有單元區(qū)域和延伸區(qū)域的三維閃存器件來實現(xiàn),該三維閃存器件包括:襯底;在襯底上的下部字線堆疊和上部字線堆疊;在下部字線堆疊和上部字線堆疊之間的中間層間電介質(zhì)層;在單元區(qū)域中的單元溝道結構;以及在延伸區(qū)域中的虛設溝道結構,其中單元溝道結構包括穿透下部字線堆疊并連接到襯底的下部單元溝道結構、穿透上部字線堆疊的上部單元溝道結構以及在下部單元溝道結構和上部單元溝道結構之間的單元溝道擴大部分,其中虛設溝道結構包括穿透下部字線堆疊并連接到襯底的下部虛設溝道結構、穿透上部字線堆疊的上部虛設溝道結構以及在下部虛設溝道結構和上部虛設溝道結構之間的虛設溝道擴大部分,其中虛設溝道擴大部分的底表面處于比中間層間電介質(zhì)層的底表面低的水平處。
實施方式可以通過提供一種具有單元區(qū)域和延伸區(qū)域的三維閃存器件來實現(xiàn),該三維閃存器件包括:襯底;在襯底上并包括多個堆疊的下部字線的下部字線堆疊;在襯底上并包括多個堆疊的上部字線的上部字線堆疊;在下部字線堆疊和上部字線堆疊之間的中間層間電介質(zhì)層;在單元區(qū)域中的單元溝道結構;以及在延伸區(qū)域中的虛設溝道結構和垂直接觸結構,其中單元溝道結構包括穿透下部字線堆疊并連接到襯底的下部單元溝道結構、穿透上部字線堆疊的上部單元溝道結構以及在下部單元溝道結構和上部單元溝道結構之間的單元溝道擴大部分,虛設溝道結構包括穿透下部字線堆疊并連接到襯底的下部虛設溝道結構、穿透上部字線堆疊的上部虛設溝道結構以及在下部虛設溝道結構和上部虛設溝道結構之間的虛設溝道擴大部分,垂直接觸結構連接到下部字線堆疊的一個下部字線或上部字線堆疊的一個上部字線,下部虛設溝道結構的水平寬度大于下部單元溝道結構的水平寬度,虛設溝道擴大部分的水平寬度大于單元溝道擴大部分的水平寬度,虛設溝道擴大部分的底表面處于比中間層間電介質(zhì)層的底表面低的水平處,虛設溝道擴大部分的側表面和單元溝道擴大部分的側表面被圓化。
附圖說明
通過參照附圖詳細描述示例性實施方式,特征對本領域技術人員將是明顯的,附圖中:
圖1A示出了根據(jù)本公開的一實施方式的三維閃存器件100A的示意性剖視圖,圖1B示出了圖1A的一部分的放大視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





