[發(fā)明專(zhuān)利]一種高可靠沿面擊穿放電觸發(fā)式脈沖引弧電源有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911353705.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111146967B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔣釗;肖更竭;周暉;鄭軍;趙棟才;楊拉毛草;魏廣;張騰飛;張延帥;貴賓華 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 蘭州空間技術(shù)物理研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02M9/04 | 分類(lèi)號(hào): | H02M9/04;H03K3/57 |
| 代理公司: | 北京理工大學(xué)專(zhuān)利中心 11120 | 代理人: | 高燕燕;楊志兵 |
| 地址: | 730000 甘*** | 國(guó)省代碼: | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 可靠 擊穿 放電 觸發(fā) 脈沖 電源 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種沿面擊穿放電觸發(fā)式脈沖引弧電源,并設(shè)計(jì)了觸發(fā)式脈沖引弧電源包括整流電路、電容充放電電路和觸發(fā)控制電路三部分;當(dāng)電弧主電源的輸出電壓高于空載輸出電壓的75%,或輸出電流低于30A時(shí),觸發(fā)控制電路判定陰極電弧源處于熄弧狀態(tài),并觸發(fā)脈沖信號(hào),整流電路同步將交流電220V轉(zhuǎn)換成直流電360V,并開(kāi)始對(duì)電容充電,當(dāng)充電電壓達(dá)到360V,光晶閘管VS1自行關(guān)斷,光晶閘管VS1可靠關(guān)斷2ms后,觸發(fā)控制電路給光晶閘管VS2發(fā)出一個(gè)導(dǎo)通觸發(fā)脈沖信號(hào),電容的電壓通過(guò)光晶閘管VS2施加到陰極電弧源的陶瓷觸發(fā)極上,為陶瓷表面的沿面擊穿提供脈沖放電電壓。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于功率脈沖電源技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種與沿面擊穿放電觸發(fā)式脈沖引弧裝置配套使用的專(zhuān)用功率電源。
背景技術(shù)
真空陰極電弧離子源是多弧離子鍍膜設(shè)備的核心部件,由于真空陰極電弧離子源的弧光放電需要經(jīng)歷引弧過(guò)程,通過(guò)沿面擊穿放電觸發(fā)式引弧技術(shù)可提供初始等離子體引發(fā)電弧放電。觸發(fā)式脈沖電源是引起電弧放電的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),通常采用IGBT模塊電路控制電路的導(dǎo)通和截止。但在實(shí)際的多弧離子鍍膜工藝過(guò)程中,涂層會(huì)額外沉積在引弧裝置的觸發(fā)極上,隨著涂層沉積厚度增加會(huì)導(dǎo)致其沿面位置的絕緣性能降低,電流迅速增大,高的電流變化率dI/dt會(huì)對(duì)IGBT器件造成過(guò)流沖擊,而商用的IGBT器件的電壓和電流容量比較有限,擊穿電壓低,耐過(guò)流量小,則有可能使IGBT過(guò)熱或損壞,導(dǎo)致觸發(fā)式脈沖引弧電源短路并損壞。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明的目的在于提供一種采用光晶閘管模塊設(shè)計(jì)的觸發(fā)式脈沖電源電路,旨在解決沿面擊穿觸發(fā)式引弧電源的可靠性和效率問(wèn)題。且電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易,安全可靠,造價(jià)低廉,節(jié)省空間,便于推廣應(yīng)用。
本發(fā)明解決上述問(wèn)題主要通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種沿面擊穿放電觸發(fā)式脈沖引弧電源,包括:整流電路、電容充放電電路和觸發(fā)控制電路三部分;整流電路包括熔斷器FU1、變壓器TV和整流橋U1,用于將交流電轉(zhuǎn)換成直流電;電容充放電電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、光晶閘管VS1、光晶閘管VS2、電容C1、電容C2、電容C3、續(xù)流二極管U2、電感L,其中,光晶閘管VS1陰極連接電容C1、C2、C3正極,三組電容并聯(lián)后經(jīng)R2接至光晶閘管VS2陽(yáng)極,光晶閘管VS2陰極分別連接電感L和續(xù)流二極管U2,電感L經(jīng)限流電阻R3連接陰極電弧源觸發(fā)極陶瓷沿面,所述電容充放電電路提供沿面擊穿觸發(fā)放電所需的脈沖電壓;觸發(fā)控制電路包括集成的觸發(fā)控制電路板,其兩路脈沖信號(hào)輸出端分別連接光晶閘管VS1和VS2信號(hào)觸發(fā)極,用于控制電容充放電的時(shí)序。
進(jìn)一步的,所述電容充放電的頻率為0.5Hz,即觸發(fā)式脈沖引弧電源電路以0.5Hz的頻率向觸發(fā)極陶瓷沿面施加脈沖電壓,直至沿面擊穿放電引弧成功。
進(jìn)一步的,當(dāng)電弧主電源的輸出電壓高于空載輸出電壓的75%,或輸出電流低于30A時(shí),所述觸發(fā)控制電路判定陰極電弧源處于熄弧狀態(tài),并觸發(fā)脈沖信號(hào)。
進(jìn)一步的,在觸發(fā)脈沖信號(hào)時(shí),整流電路同步將交流電220V轉(zhuǎn)換成直流電360V,開(kāi)始對(duì)電容C1、C2、C3充電;當(dāng)充電電壓達(dá)到360V,光晶閘管VS1自行關(guān)斷;光晶閘管VS1可靠關(guān)斷2ms后,觸發(fā)控制電路給光晶閘管VS2發(fā)出一個(gè)導(dǎo)通觸發(fā)脈沖信號(hào),電容C1、C2、C3的電壓通過(guò)光晶閘管VS2施加到陰極電弧源的陶瓷觸發(fā)極上,為陶瓷表面的沿面擊穿提供脈沖放電電壓。
進(jìn)一步的,觸發(fā)控制板的啟動(dòng)接口和計(jì)數(shù)脈沖信號(hào)接口均連接PLC控制器。
進(jìn)一步的,觸發(fā)控制板接入主弧回路,用于反饋主回路電壓電流。
綜上所述,本發(fā)明通過(guò)上述特殊設(shè)計(jì)的光晶閘管模塊所得到的觸發(fā)式脈沖電源電路代替現(xiàn)有技術(shù)中IGBT模塊電路控制電路導(dǎo)通和截止,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的沿面擊穿觸發(fā)式引弧電源的可靠性和效率問(wèn)題。本發(fā)明通過(guò)本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明電源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,安全耐用,便于實(shí)現(xiàn)和產(chǎn)品小型化,經(jīng)濟(jì)成本低,同時(shí)提高觸發(fā)工作的可靠性和引弧穩(wěn)定性,可廣泛與沿面擊穿放電引弧裝置配合使用。
附圖說(shuō)明
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于蘭州空間技術(shù)物理研究所,未經(jīng)蘭州空間技術(shù)物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911353705.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。





