[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911352158.4
• 申請日: 2015-03-13
• 公開（公告）號: CN111048509A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山崎舜平;坂倉真之
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/04;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L27/12;H01L27/06;H01L21/8238
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 歐陽帆

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。可以提供一種包括該晶體管的半導(dǎo)體裝置。提供一種晶體管，包括氧化物半導(dǎo)體、第一導(dǎo)電體、第二導(dǎo)電體、第三導(dǎo)電體、第一絕緣體以及第二絕緣體。第一導(dǎo)電體具有第一導(dǎo)電體與氧化物半導(dǎo)體隔著第一絕緣體相互重疊的第一區(qū)域、第一導(dǎo)電體與第二導(dǎo)電體隔著第一絕緣體及第二絕緣體相互重疊的第二區(qū)域以及第一導(dǎo)電體與第三導(dǎo)電體隔著第一絕緣體及第二絕緣體相互重疊的第三區(qū)域。氧化物半導(dǎo)體包括該氧化物半導(dǎo)體與第二導(dǎo)電體接觸的第四區(qū)域以及該氧化物半導(dǎo)體與第三導(dǎo)電體接觸的第五區(qū)域。

本申請是申請?zhí)枮?01580016956.3、申請日為2015年3月13日、國際申請?zhí)枮镻CT/IB2015/051838、進(jìn)入國家階段日為2016年9月28日、發(fā)明名稱為“晶體管以及半導(dǎo)體裝置”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明例如涉及一種晶體管、半導(dǎo)體裝置以及其制造方法。本發(fā)明例如涉及一種顯示裝置、發(fā)光裝置、照明裝置、蓄電裝置、存儲裝置、處理器或電子設(shè)備。本發(fā)明涉及一種顯示裝置、液晶顯示裝置、發(fā)光裝置、存儲裝置或電子設(shè)備的制造方法。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發(fā)光裝置、存儲裝置或電子設(shè)備的驅(qū)動方法。

注意，本發(fā)明的一個方式不局限于上述技術(shù)領(lǐng)域。本說明書等所公開的發(fā)明的一個方式的技術(shù)領(lǐng)域涉及一種物體、方法或制造方法。另外，本發(fā)明的一個方式涉及一種程序(process)、機(jī)器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。

在本說明書等中，半導(dǎo)體裝置一般地是指能夠通過利用半導(dǎo)體特性而工作的裝置。顯示裝置、發(fā)光裝置、照明裝置、電光裝置、半導(dǎo)體電路以及電子設(shè)備有時包括半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

近年來，包括氧化物半導(dǎo)體的晶體管受到關(guān)注。氧化物半導(dǎo)體可以利用濺射法等形成，所以可以用于構(gòu)成大型顯示裝置的晶體管的半導(dǎo)體。另外，因為可以改良包含非晶硅的晶體管的生產(chǎn)設(shè)備的一部分而利用，所以包含氧化物半導(dǎo)體的晶體管還具有可以抑制設(shè)備投資的優(yōu)點。

已知包含氧化物半導(dǎo)體的晶體管的泄漏電流在非導(dǎo)通狀態(tài)下極小。例如，應(yīng)用了包含氧化物半導(dǎo)體的晶體管的泄漏電流低的特性的低功耗CPU等已被公開(參照專利文獻(xiàn)1)。

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本專利申請公開第2012-257187號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種寄生電容小的晶體管。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種頻率特性高的晶體管。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種電特性良好的晶體管。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種電特性穩(wěn)定的晶體管。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種關(guān)態(tài)電流(off-state current)低的晶體管。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種新穎的晶體管。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種包括上述晶體管的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種工作速度快的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種新穎的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種包括上述半導(dǎo)體裝置的模塊。本發(fā)明的另一個方式的目的之一是提供一種包括上述半導(dǎo)體裝置或上述模塊的電子設(shè)備。

注意，對上述目的的描述并不妨礙其他目的的存在。本發(fā)明的一個方式并不需要實現(xiàn)所有上述目的。除上述目的外的目的從說明書、附圖及權(quán)利要求書等的描述中是顯而易見的，并且可以從所述描述中抽出。