[發明專利]一種非晶納米晶磁片制備工藝及制備設備

有效

• 申請號: 201911351012.8
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN110993310B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 朱權;趙俊;顧小建
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本發明公開了一種非晶納米晶磁片制備工藝及制備設備，屬于磁性材料技術領域，非晶納米晶磁片制備工藝包括S1、將磁片本體切割形成多個相互隔開的單元分體，且不切斷下表面的硅膠粘膜，磁片本體由多層經過退火的非晶納米晶帶材采用雙面膠貼合形成，磁片本體的下表面具有硅膠粘膜；S2、對經過切割的磁片本體進行噴膠；S3、對經過噴膠的磁片本體進行裂片處理，使非晶納米晶產生裂紋，并使磁片本體達到預設磁導率；S4、將磁片本體下表面的硅膠粘膜去除，并在磁片本體上表面和下表面均覆膜，得到非晶納米晶磁片。對磁片本體進行切割并后續對磁片本體進行破碎，相比于現有技術，加工效率高，且有利于磁片本體的應力釋放，避免非晶納米晶磁片出現鼓包。

技術領域

本發明涉及磁性材料技術領域，尤其涉及一種非晶納米晶磁片制備工藝及制備設備。

背景技術

從手機、筆記本等便攜式電子產品逐漸普及開始，“輕薄”的設計理念一直牽引著市場的發展方向，各大廠商也在不斷加強技術研發，視圖將便攜電子產品做到更薄，無線充電模組向作為內置器件植入便攜式電子產品中，起關鍵作用的磁片就必須做到“輕薄”。

非晶納米晶帶材是由超級冷凝固形成厚度在15－35μm范圍內的固體薄帶，合金凝固時原子來不及有序排列結晶得到的固態合金。這種固態合金是長程無序結構，沒有晶態合金的晶粒、晶界存在，具有優異的磁性、耐蝕性、耐磨性、高硬度、高強度、高電阻率等特性。性能方面，非晶納米晶磁片具有高的導磁率、高的飽和磁通密度，具有較大的性能優勢。

非晶納米晶磁片用于無線充電時，未經處理的非晶或非晶納米晶帶材的磁導率和飽和磁通密度都能達到要求，但是損耗較高，非晶納米晶導磁片在高頻下的損耗主要來自于渦流損耗，渦流損耗較大會導致品質因素Q值低，充電效率低，同時，充電時非晶納米晶的發熱量較大。為了降低渦流損耗，目前常規的做法是將非晶納米晶帶材碎花，相當于把非晶納米晶帶材碎裂成微小的顆粒，顆粒之間使用絕緣層，這樣單體小顆粒的磁通量小，渦流小，就減少了大面積的渦流損耗，使得無線充電時，磁場耦合后的損耗降低，發熱量減少。

目前行業中常規的破碎的方式是采用機械壓力的方式使帶材破碎。先是單層破碎，然后使用雙面膠帶將多層非晶納米晶貼合到一起，來達到無線充電使用要求的厚度和磁性能。但是這種加工方式不僅效率低，而且當非晶納米晶層數較多時，非晶納米晶層內部的應力釋放而容易導致磁片容易出現鼓包，影響磁片的品質因數。

發明內容

本發明的目的在于提供一種非晶納米晶磁片制備工藝及制備設備，以解決現有技術中存在的采用單層破碎后使用雙面膠多層貼合的方式，加工效率低，而且當非晶納米晶層數較多時容易導致磁片出現鼓包，影響磁片的品質因數的技術問題。

如上構思，本發明所采用的技術方案是：

一種非晶納米晶磁片制備工藝，包括以下步驟：

S1：將磁片本體切割形成多個相互隔開的單元分體，且不切斷下表面的硅膠粘膜，磁片本體由多層經過退火的非晶納米晶帶材采用雙面膠貼合形成，磁片本體的下表面具有硅膠粘膜；

S2：對經過切割的磁片本體進行噴膠，使膠體填充多個單元分體之間的空隙并覆蓋磁片本體的上表面；

S3：對經過噴膠的磁片本體進行裂片處理，使非晶納米晶產生裂紋，并使磁片本體達到預設磁導率；

S4：將磁片本體下表面的硅膠粘膜去除，并在磁片本體上表面和下表面均覆膜，得到非晶納米晶磁片。

進一步地，在步驟S1中對非晶納米晶帶材進行貼合的方法包括：

S11：取一片暗面貼附了雙面膠的非晶納米晶帶材，在其亮面一側貼附硅膠粘膜，并剝離非晶納米晶帶材上雙面膠的保護膜，以該非晶納米晶帶材為底基層；

S12：取另一片在暗面貼附了雙面膠的非晶納米晶帶材并剝離該非晶納米晶帶材上雙面膠的保護膜，將其亮面與底基層上的雙面膠貼合；