[發(fā)明專利]用于真空設(shè)備的調(diào)平機構(gòu)和等離子體處理裝置

在審

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• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN113035680A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙軍;王兆祥
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 深圳中創(chuàng)智財知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44553
• 代理人: 文言;婁建平

1.一種用于真空設(shè)備的調(diào)平機構(gòu)，其特征在于，所述調(diào)平機構(gòu)包括至少一個間隙調(diào)節(jié)件和設(shè)置于所述間隙調(diào)節(jié)件外周的密封波紋管，所述間隙調(diào)節(jié)件包括雙層螺栓和套設(shè)于所述雙層螺栓外周的真空波紋管，所述雙層螺栓的兩端分別連接第一部件和第二部件，使得能夠通過調(diào)控所述雙層螺栓至少部分地調(diào)節(jié)所述第一部件和所述第二部件之間的距離。

2.如權(quán)利要求1所述的調(diào)平機構(gòu)，其特征在于，所述第一部件和/或所述第二部件至少部分地置于真空環(huán)境中。

3.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

真空反應(yīng)腔，用于供所述等離子體反應(yīng)；

下電極組件，位于所述真空反應(yīng)腔底部，用于承載待處理基片；

上電極組件，與所述下電極組件相對設(shè)置，用于向所述真空反應(yīng)腔內(nèi)輸送工藝氣體；

權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的調(diào)平機構(gòu)，用于至少部分地調(diào)節(jié)所述上電極組件和所述下電極組件之間的距離。

4.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述上電極組件包括安裝基座和設(shè)于所述安裝基座底部的噴淋頭，所述安裝基座具有延伸于所述真空反應(yīng)腔內(nèi)的內(nèi)延部和延伸于所述真空反應(yīng)腔外的外延部。

5.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置還包括相對設(shè)置于所述外延部下方的蓋板和設(shè)置于所述噴淋頭外周的接地環(huán)。

6.如權(quán)利要求4和5所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一部件包括所述安裝基座；且/或，

所述第二部件包括所述蓋板、所述接地環(huán)和所述噴淋頭。

7.如權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述雙層螺栓包括一端延伸穿設(shè)于所述蓋板下方且另一端延伸穿設(shè)于所述外延部上方的螺桿、設(shè)于所述蓋板下方并與所述螺桿連接的固定螺母、設(shè)于所述外延部上方并與所述螺桿連接的調(diào)節(jié)螺母，所述真空波紋管和所述密封波紋管的兩端都分別與所述外延部和所述蓋板連接。

8.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在所述密封波紋管的兩端分別與所述外延部和所述蓋板的連接處設(shè)有密封環(huán)；且/或，

所述外延部的豎直側(cè)壁與所述蓋板之間設(shè)有彈性墊片。

9.如權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述雙層螺栓包括一端延伸穿設(shè)于所述外延部上方且另一端通過螺釘連接于所述噴淋頭上的螺桿和設(shè)于所述外延部上方并與所述螺桿連接的調(diào)節(jié)螺母，所述真空波紋管的兩端分別與所述外延部和所述噴淋頭連接，所述密封波紋管的兩端分別與所述外延部和所述接地環(huán)連接。

10.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在所述密封波紋管的兩端與所述外延部和所述接，地環(huán)連接處設(shè)有密封環(huán)。