[發明專利]一種電阻式存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 201911348857.1
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN111029363B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 沈鼎瀛
• 申請（專利權）人: 廈門半導體工業技術研發有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京樂知新創知識產權代理事務所(普通合伙) 11734
• 代理人: 江宇

1.一種電阻式存儲器，其特征在于，所述電阻式存儲器包括：多個電阻式存儲記憶胞，設置于一基板上，每個所述的電阻式存儲記憶胞包括一第一可變阻抗單元和一第二可變阻抗單元，每個所述電阻式存儲記憶胞還包括一第一開關單元和一第二開關單元；所述第一可變阻抗單元耦接于第一開關單元，所述第二可變阻抗單元耦接于第二開關單元；每個所述的電阻式存儲記憶胞還包括一第三可變阻抗單元，所述第三可變阻抗單元僅直接耦接于所述的第一開關單元或所述的第二開關單元；

所述的第三可變阻抗單元位于所述第一可變阻抗單元和所述第二可變阻抗單元之間，通過一底聯結平臺耦接于所述第一開關單元或所述的第二開關單元，所述的第三可變阻抗單元位于所述的底聯結平臺上。

2.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，所述的底聯結平臺垂直方向上的投影面積大于或等于兩倍的任一所述可變阻抗單元垂直方向上的投影面積。

3.根據權利要求2所述的電阻式存儲器，所述第一可變阻抗單元和第二可變阻抗單元耦接于對應的第一位線；所述第三可變阻抗單元的耦接于對應的第二位線。

4.根據權利要求3所述的電阻式存儲器，所述的第一位線與所述的第二位線位于不同的配線層。

5.根據權利要求3所述的電阻式存儲器，所述的第一位線空間平行于所述的第二位線，所述的第一位線與所述的第二位線在垂直方向上的投影至少有一部分不重合。

6.根據權利要求2所述的電阻式存儲器，相鄰兩個所述的電阻式存儲記憶胞的所述第三可變阻抗單元均耦接于對應的所述第一開關單元或均耦接于對應的所述第二開關單元；或相鄰兩個所述的電阻式存儲記憶胞的所述第三可變阻抗單元一個耦接于對應的所述第一開關單元，另一個耦接于對應的所述第二開關單元。

7.根據權利要求1-6任一項所述的電阻式存儲器，所述的第一可變阻抗單元、第二可變阻抗單元與第三可變阻抗單元的材料可以相同或不同。

8.一種電阻式存儲器的制備方法，其特征在于，

提供一基板；

于所述基板上沿一第一方向形成一柵極條狀結構，其中所述柵極條狀結構作為一字線，于所述基板上形成接觸插塞，于所述接觸插塞上形成源極線及中繼接觸層，從而形成第一開關與第二開關；

于所述中繼接觸層上形成底聯結平臺，于所述底聯結平臺上形成第一到第三可變阻抗單元；

第三可變阻抗單元形成在底聯結平臺上，位于第一可變阻抗單元與第二可變阻抗單元之間；

所述第三可變阻抗單元耦接于所述第一開關或所述第二開關；

所述第一至第三可變阻抗單元上形成頂電極接觸插塞，于所述頂電極接觸插塞上形成一第一位線和一第二位線。

9.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求1-8任一項所述的電阻式存儲器。