[發明專利]一種工位可獨立控制的多坩堝晶體生長爐及控制方法有效
| 申請號: | 201911348765.3 | 申請日: | 2019-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN110923802B | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發明(設計)人: | 郭海生;宋克鑫;王富貴;徐卓;李飛;欒鵬;莊永勇 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | C30B11/00 | 分類號: | C30B11/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 馬貴香 |
| 地址: | 710049 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 工位可 獨立 控制 坩堝 晶體生長 方法 | ||
1.一種工位可獨立控制的多坩堝晶體生長爐,其特征在于,包括單獨升降裝置(1)和聯動升降裝置(14),單獨升降裝置(1)和聯動升降裝置(14)上分別連接有單獨支撐板(2)和聯動支撐架(13),且單獨支撐板(2)位于聯動支撐架(13)下側,聯動支撐架(13)上均勻設置有若干工位孔,工位孔中設置有坩堝引下裝置,聯動支撐架(13)上還設置有能夠將坩堝引下裝置支撐在工位孔中的坩堝支撐架(12),爐體(4)中每個工位均設有均溫管(6),均溫管(6)外側套設有環形發熱體(5),環形發熱體(5)通過溫控系統進行聯動控制或單獨控制,還包括能夠將坩堝引下裝置在爐體(4)中的空間進行隔離的工位隔熱裝置;
坩堝引下裝置包括引下管(7)以及連接在引下管(7)底部的引下管座,在晶體生長時,坩堝(8)置于引下管(7)中,并一起由聯動升降裝置(14)升入爐體(4);所述工位隔熱裝置包括設置在爐體(4)上側的隔熱套管升降裝置(9),隔熱套管升降裝置(9)通過升降鉸鏈(10)連接有能夠套在環形發熱體(5)外側的隔熱套管(11)。
2.根據權利要求1所述的一種工位可獨立控制的多坩堝晶體生長爐,其特征在于,單獨升降裝置(1)和聯動升降裝置(14)均通過伺服電機驅動。
3.根據權利要求1所述的一種工位可獨立控制的多坩堝晶體生長爐,其特征在于,所述坩堝支撐架(12)為U型,設置在引下管(7)底部外沿和聯動支撐架(13)之間。
4.根據權利要求1所述的一種工位可獨立控制的多坩堝晶體生長爐,其特征在于,單獨升降裝置(1)與單獨支撐板(2)之間以及聯動升降裝置(14)與聯動支撐架(13)之間均設置有支撐桿。
5.根據權利要求1所述的一種工位可獨立控制的多坩堝晶體生長爐,其特征在于,所述工位隔熱裝置還包括連接在爐體(4)底部的隔熱板固定裝置(3),隔熱板固定裝置(3)中設置有能夠封堵爐口的爐口隔熱板(15)。
6.一種權利要求1所述的工位可獨立控制的多坩堝晶體生長爐的控制方法,其特征在于,當所有工位晶體均處于正常生長時,溫控系統處于聯動控制模式,坩堝支撐架(12)處于插入狀態,各工位上的坩堝引下裝置及其內部的坩堝與聯動支撐架(13)連成一體,各工位的升降操作由聯動升降裝置(14)同步實現,各工位的晶體生長同步進行;
當某一工位上的晶體生長出現問題需單獨停爐處理時,溫控系統切換至單獨控制模式,對該工位進行降溫停爐處理,同時啟動工位隔熱裝置,然后調整單獨升降裝置(1)的位置,并使單獨升降裝置(1)的速度與聯動升降裝置(14)的速度相同,實現同步運動;最后,將需做停爐處理的工位處的坩堝支撐架(12)抽離,將坩堝引下裝置平穩落在單獨支撐板(2)上,完成該工位與聯動支撐架(13)的脫離。
7.根據權利要求6所述的一種工位可獨立控制的多坩堝晶體生長爐的控制方法,其特征在于,所述工位隔熱裝置包括設置在爐體(4)上側的隔熱套管升降裝置(9),隔熱套管升降裝置(9)通過升降鉸鏈(10)連接有能夠套在環形發熱體(5)外側的隔熱套管(11),對晶體生長出現問題的工位進行降溫停爐處理時,隔熱套管升降裝置(9)通過升降鉸鏈(10)將隔熱套管(11)降至爐內最低處,將該問題工位與其它正常生長工位隔離。
8.根據權利要求6所述的一種工位可獨立控制的多坩堝晶體生長爐的控制方法,其特征在于,所述工位隔熱裝置還包括連接在爐體(4)底部的隔熱板固定裝置(3),隔熱板固定裝置(3)中設置有能夠封堵爐口的爐口隔熱板(15),當坩堝引下裝置平穩落在單獨支撐板(2)上,且與聯動支撐架(13)脫離并完全離開爐體(4)后,將爐口隔熱板(15)插入隔熱板固定裝置(3)中,封堵爐口。
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