[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體裝置及其探針測試方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911346978.2
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN111090033A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉家銘;張孝仁;蘇華庭
• 申請（專利權(quán)）人: 淮安芯測半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 北京一枝筆知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11791
• 代理人: 張慶瑞

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置及其探針測試方法，包括底座基板(1)，連接探針(2)，陶瓷管(3)，填充保護(hù)層結(jié)構(gòu)(4)，防氧化蓋(5)，手拉帶(6)，加熱絲(7)，側(cè)拉柄(8)，側(cè)防護(hù)殼(9)，電極陰極(10)，電極陽極(11)，蜂鳴警報(bào)器(12)，指示燈(13)和裝置主殼體(14)，所述的底座基板(1)螺釘連接在裝置主殼體(14)的下部位置；所述的連接探針(2)鑲嵌在底座基板(1)的下部；所述的陶瓷管(3)鑲嵌在裝置主殼體(14)的內(nèi)部位置；所述的填充保護(hù)層結(jié)構(gòu)(4)填充在裝置主殼體(14)的內(nèi)部；所述的防氧化蓋(5)套接在連接探針(2)的外側(cè)下部位置；所述的手拉帶(6)膠接在防氧化蓋(5)的下表面中間位置；所述的加熱絲(7)鑲嵌在填充保護(hù)層結(jié)構(gòu)(4)的內(nèi)部中間位置；所述的側(cè)拉柄(8)螺釘連接在側(cè)防護(hù)殼(9)的外側(cè)中間位置；所述的側(cè)防護(hù)殼(9)分別扣接在裝置主殼體(14)的左右兩端位置；所述的電極陰極(10)和電極陽極(11)分別鑲嵌在裝置主殼體(14)的上部左右兩側(cè)位置；所述的蜂鳴警報(bào)器(12)鑲嵌在裝置主殼體(14)的正表面左上側(cè)；所述的指示燈(13)鑲嵌在裝置主殼體(14)的正表面右上側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的填充保護(hù)層結(jié)構(gòu)(4)包括柵極絕緣膜層(41)，第一金屬氧化物層(42)，氧化物半導(dǎo)體膜層(43)，定型布線層(44)，第二金屬氧化物層(45)和氧化物膜(46)，所述的第一金屬氧化物層(42)涂抹在柵極絕緣膜層(41)和氧化物半導(dǎo)體膜層(43)之間；所述的氧化物半導(dǎo)體膜層(43)膠接在定型布線層(44)的上部；所述的定型布線層(44)膠接在第二金屬氧化物層(45)的上部；所述的第二金屬氧化物層(45)氧化物膜(46)的上部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的柵極絕緣膜層(41)與電極陰極(10)和電極陽極(11)重疊設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的氧化物半導(dǎo)體膜層(43)的上端與所述的氧化物膜(46)的下端寬度一致。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的氧化物半導(dǎo)體膜層(43)及所述的氧化物膜(46)各自都包含In-W-Zn氧化物，其中W為選自由Al、Ga、Ge、Y、Zr、La、Ce和Nd構(gòu)成的組中的一個(gè)，并且其中，所述的氧化物膜(46)的In對W的原子個(gè)數(shù)比小于所述的氧化物半導(dǎo)體膜層(43)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的氧化物膜(46)為非晶的；所述的氧化物半導(dǎo)體膜層(43)為結(jié)晶的。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的探針測試方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

步驟一：待測試半導(dǎo)體裝置的處理；

步驟二：半導(dǎo)體裝置與測試探針卡連接；

步驟三：探針卡與測試裝置連接：

步驟四：測試數(shù)據(jù)的分析；

步驟五：有效信息的輸出；

步驟六：無效信息的輸出

步驟七：測試結(jié)果的反饋。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置及其探針測試方法，其特征在于，在步驟一中，所述的將半導(dǎo)體裝置的連接探針中包括若干接觸電極，在所述待測區(qū)域的周圍形成若千個(gè)緩沖墊，所述緩沖墊自下至上包括一介質(zhì)層和一金屬層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置及其探針測試方法，其特征在于，在步驟二中，將同一晶圓上所有類型芯片電學(xué)測試所需要的探針制造在同一張?zhí)结樋ㄉ希恍酒愋偷膭澐謼l件：芯片種類、芯片形狀、芯片尺寸和芯片焊墊排布關(guān)系均不同的芯片被劃分為不同類型。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置及其探針測試方法，其特征在于，在步驟三中，將探針卡連接被測芯片，通過測試裝置執(zhí)行測試；所述的測試裝置采用SOC測試儀，SOC測試儀的DFM模塊記錄不同類型的失效BIN信息,SOC測試儀對不同種類的失效BIN信息進(jìn)行區(qū)分，將不同種類的失效BIN信息上傳到對應(yīng)的服務(wù)器上。