[發明專利]一種疏水性席夫堿鈷@β環糊精-石墨烯多孔碳復合材料的制備及應用有效
| 申請號: | 201911346431.2 | 申請日: | 2019-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN110931271B | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發明(設計)人: | 黃鵬儒;劉佳溪;張璽;黃強;鄒勇進;向翠麗;孫立賢;徐芬;陳同祥 | 申請(專利權)人: | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號: | H01G11/30 | 分類號: | H01G11/30;H01G11/36;H01G11/24;C01B32/05 |
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| 地址: | 541004 廣西*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 疏水 性席夫堿鈷 環糊精 石墨 多孔 復合材料 制備 應用 | ||
1.一種疏水性席夫堿鈷@β環糊精-石墨烯多孔碳復合材料,其特征在于:制備的疏水性席夫堿鈷@β環糊精-石墨烯成片層堆積,由二氰二胺、5-氯水楊醛、四水合乙酸鈷和β環糊精、氧化石墨烯分散液為原料,其中,二氰二胺、5-氯水楊醛、四水合乙酸鈷的質量比為(0.3-0.6):(1-2):(0.5-1),中間產物5-氯水楊醛縮二氰二胺席夫堿鈷與β環糊精和氧化石墨烯的質量比為2:5.67:(0.003-0.006);經兩次水熱反應,其中,第一次水熱反應的溫度為100℃-150℃,水熱反應的時間為10-20h,第二次水熱反應溫度為100℃-150℃,水熱反應的時間為10-20h;反應完畢后,在煅燒條件為在惰性氣體下,以5-10℃/min的升溫速率升溫至300-600℃,然后保溫2-3h煅燒制得,所得復合材料為片層結構,片層厚度為200-400nm。
2.一種疏水性席夫堿鈷@β環糊精-石墨烯多孔碳復合材料的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
步驟1,5-氯水楊醛縮二氰二胺席夫堿鈷的制備,將一定質量比的二氰二胺、5-氯水楊醛、四水合乙酸鈷分別以甲醇為溶劑,配制成二氰二胺溶液、5-氯水楊醛溶液和四水合乙酸鈷溶液,然后將三個溶液混合均勻后在一定條件下進行水熱反應,反應完畢后經過濾、洗滌、干燥得到黑色固體粉末5-氯水楊醛縮二氰二胺席夫堿鈷;
所述步驟1二氰二胺、5-氯水楊醛、四水合乙酸鈷的質量比為(0.3-0.6):(1-2):(0.5-1),所述步驟1水熱反應的溫度為100℃-150℃,水熱反應的時間為10-20h;
步驟2,疏水性席夫堿鈷-β環糊精-石墨烯的制備,以一定體積比,將去離子水和乙醇配制成混合溶劑,然后一定比例將步驟1所得5-氯水楊醛縮二氰二胺席夫堿鈷、β環糊精和氧化石墨烯分散液為溶質,配制得到混合溶液,在攪拌條件下用氨水調節pH值后,在一定條件下進行水熱反應,反應完畢后經過濾、洗滌、干燥得到黑色固體粉末疏水性席夫堿鈷-β環糊精-石墨烯;
所述步驟2混合溶劑中去離子水與乙醇的體積比為(1-3):1,所述步驟2中5-氯水楊醛縮二氰二胺席夫堿鈷、β環糊精和氧化石墨烯的質量比為2:5.67:(0.003-0.006),其中,氧化石墨烯的濃度為3-5mg/mL,所述步驟2pH值的范圍為7-10;所述步驟2水熱反應溫度為100℃-150℃,水熱反應的時間為10-20h;
步驟3,疏水性席夫堿鈷@β環糊精-石墨烯多孔碳復合材料的制備,將步驟2所得黑色固體粉末疏水性席夫堿鈷-β環糊精-石墨烯,在一定條件下煅燒處理,即可得到疏水性席夫堿鈷@β環糊精-石墨烯多孔碳復合材料;
所述步驟3)煅燒的條件為在惰性氣體下,以5-10℃/min的升溫速率升溫至300-600℃,然后保溫2-3h。
3.根據權利要求1所述疏水性席夫堿鈷@β環糊精-石墨烯多孔碳復合材料作為超級電容器電極材料中的應用,其特征在于:在0-0.4V范圍內充放電,在放電電流密度為1A/g時,比電容可以達到500-1000 F/g。
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