[發明專利]一種等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201911346160.0
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN113035679B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 楊金全;黃允文
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 徐雯瓊;章麗娟

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，該裝置包含：

真空反應腔，所述真空反應腔內具有上電極和下電極，所述上電極和下電極相對設置，所述上電極和下電極之間為等離子體環境；

隔離環，包圍所述上電極，暴露于等離子體環境中；

射頻屏蔽件，環繞設置于所述隔離環的外側，并與所述隔離環連接；

若干個發熱體，位于所述射頻屏蔽件內，用于對隔離環進行加熱；

若干個真空電極，分別與對應的所述發熱體連接，為所述發熱體供電；

若干個波紋管，一端與所述射頻屏蔽件連接，另一端與所述真空反應腔的頂部連接。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述隔離環遠離所述上電極一側為臺階狀結構，其包含：

上端部，環繞設置在所述上電極的外側；

下端部，位于所述上端部的下方，由所述上端部自上而下向外擴散而得，兩者之間為過渡部分。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻屏蔽件包括：

第一射頻屏蔽件，與所述隔離環外側的臺階狀結構相匹配，所述第一射頻屏蔽件內環繞開設有若干個凹槽，所述凹槽用于容納所述發熱體；

位于第一射頻屏蔽件上的第二射頻屏蔽件，與所述第一射頻屏蔽件連接以將所述發熱體包裹在所述凹槽內。

4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第一射頻屏蔽件、所述第二射頻屏蔽件和所述隔離環之間的連接方式包括焊接或通過機械緊固裝置連接。

5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述機械緊固裝置為螺栓組件。

6.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述射頻屏蔽件包括隔離環外表面上的第一金屬鍍層和位于第一金屬鍍層上的第二金屬鍍層，所述發熱體為位于第一金屬鍍層與第二金屬鍍層之間的發熱體涂層，所述第一金屬鍍層與所述發熱體涂層之間設置第一絕緣層，所述第二金屬鍍層與所述發熱體涂層之間設置第二絕緣層。

7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第一金屬鍍層為第一鋁涂覆層，所述第二金屬鍍層為第二鋁涂覆層。

8.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述發熱體涂層的材料包含：石墨烯、碳納米管或鎳鉻合金。

9.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述隔離環的材料包含石英、陶瓷中的至少一種；

所述射頻屏蔽件的材料包含金屬。