[發明專利]一種低壓、低功率互補電路、一種反相器和一種NAND器件

有效

• 申請號: 201911346079.2
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN111584484B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 文森;柏蘭嘉;趙建文
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/06;H10B41/35;H10B43/35
• 代理公司: 蘇州吳韻知識產權代理事務所(普通合伙) 32364
• 代理人: 王銘陸

1.一種低壓、低功率互補電路，其特征在于，包括使用半導體碳納米管網狀晶體管作為半導體的數字、模擬或混合信號電路，所述半導體碳納米管網狀晶體管的介電層采用納米復合介電材料，所述介電層中設有具有明顯偶極矩的自組裝單層，以提供0.5μF/cm²的面電容和0.5V電壓下小于1μA/cm²的漏電流密度，包括用于設置晶體管的柔性基底，所述介電層設置在半導體碳納米管和柵極之間；

所述半導體碳納米管網狀晶體管制備方法為：通過在自組裝單層的柵極區域上沉積半導體碳納米管網狀層，隨后沉積由單一金屬制成的源、漏極以制備底柵頂接觸結構的半導體碳納米管網狀晶體管；

所述半導體碳納米管網狀晶體管采用基于溶液的方法沉積，所述的溶液的沉積方法采用打印或涂覆；這種打印或涂覆所形成的電路具有單個接觸材料用于柵極，以及單個接觸材料用于源極和漏極的特征；電源軌的技術功能相互之間0.7V即導致晶體管在其閾值電壓附近或閾值電壓以下工作；

所述納米復合介電材料采用高k絕緣材料、高k有機分子、高k聚合物或采用高k有機物和氧化物的組合；

所述高k絕緣材料采用鋁、鋯、鉿、鉭、釔、鈦、鑭及其混合物的氧化物。

2.一種反相器，其特征在于，采用權利要求1兩個所述的晶體管連接形成反相器門。

3.一種NAND器件，其特征在于，采用權利要求1所述的互補電路。