[發明專利]一種廣譜型低電位電化學發光體系及其構建方法有效
| 申請號: | 201911346076.9 | 申請日: | 2019-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN111139066B | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | 鄒桂征;傅莉 | 申請(專利權)人: | 山東大學 |
| 主分類號: | C09K11/07 | 分類號: | C09K11/07;C09K11/58;C09K11/88;C09K11/62;C09K11/06;G01N21/76 |
| 代理公司: | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人: | 楊磊 |
| 地址: | 250199 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 廣譜 電位 電化學 發光 體系 及其 構建 方法 | ||
1.一種低電位電化學發光體系,其特征在于,該電化學發光體系包括共反應劑和發光物,所述的共反應劑為碳酰肼,所述的發光物為分子形態釕聯吡啶Ru(bpy)32+和納米材料形態的水溶性Au量子點、水溶性CdSe量子點、水溶性CuInS2/ZnS量子點或水溶性CdTe量子點。
2.根據權利要求1所述的低電位電化學發光體系,其特征在于,所述的低電位電化學發光體系的電位范圍如下:
碳酰肼/Au量子點體系:0.5-0.6 V;
碳酰肼/CdSe量子點體系:0.5-0.6 V;
碳酰肼/ Ru(bpy)32+體系:0.5-0.6 V;
碳酰肼/CuInS2/ZnS量子點體系:0.5-0.6 V;
碳酰肼/CdTe量子點體系:0.5-0.6 V。
3.根據權利要求1所述的低電位電化學發光體系,其特征在于,所述的低電位電化學發光體系的共反應劑濃度:50 mmol/L碳酰肼。
4.根據權利要求1所述的低電位電化學發光體系,其特征在于,所述的水溶性Au量子點按如下方法制備得到:
將6-氮雜-2-硫代胸腺嘧啶滴加到AuCl3?HCl 中,調節pH=8.0,用異丙醇純化之后,加入水調節濃度為6-10mg/mL;將L-精氨酸溶液加入到上述溶液中,37℃孵育10-15小時,將所得到的量子點用異丙醇純化,即得水溶性Au量子點。
5.根據權利要求1所述的低電位電化學發光體系,其特征在于,水溶性CdTe量子點按如下方法制備得到:
配制CdCl2溶液,加入六偏磷酸鈉和巰基丙酸溶液,用氫氧化鈉溶液調節pH=8.0,將Na2TeO3滴入上述溶液,加熱10分鐘后,再加入水合肼,回流20小時;將所得到的量子點用異丙醇純化,即得水溶性CdTe量子點。
6.根據權利要求1所述的低電位電化學發光體系,其特征在于,所述的水溶性CdSe量子點按如下方法制備得到:
配制CdCl2溶液,加入六偏磷酸鈉和巰基丙酸溶液,用氫氧化鈉溶液調節pH=8.0;將Na2SeO3滴入上述溶液,加熱10分鐘后,再加入水合肼,回流20小時;將所得到的量子點用異丙醇純化,即得水溶性CdSe量子點。
7.根據權利要求1所述的低電位電化學發光體系,其特征在于,所述的水溶性CuInS2/ZnS量子點按如下方法制備得到:
將0.034 g CuCl2?H2O溶于超純水中制備Cu儲備液;1.467 g InCl3?4H2O 溶于5 mL乙醇制得In儲備液;2.402 g NaS9?H2O溶于10 mL超純水中制得NaS儲備液;
將0.177 g Zn(OAc)2?H2O, 0.061 g H2NCSNH2和0.376 g谷胱甘肽溶于20 ml超純水,用1.0 M的HCl調節溶液pH為4.0;將20 mL超純水,0.0062 g谷胱甘肽,900 μl的Cu儲備液,40微升In儲備液,0.4 mL檸檬酸鈉儲備液和62 μl的硫化鈉儲備液在攪拌狀態下,依次加到50mL的圓底燒瓶中,加熱到95℃保持40 min,得到CuInS2核,然后加入2 mL的ZnS殼儲備液,在95℃保持40 min;將所制得的CIS/ZnS量子點溶液和異丙醇混合,離心,純化,棄去上清液,將沉淀溶于水中,得水溶性CIS/ZnS量子點的溶液。
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