[發明專利]擋板單元及包括該擋板單元的基板處理設備

在審

• 申請號: 201911346015.2
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN112802730A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 姜正賢
• 申請（專利權）人: PSK有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海

本發明概念涉及一種擋板單元及包括該擋板單元的基板處理設備。用于處理前述基板的前述設備包括：外殼，前述外殼具有處理空間；支撐單元，前述支撐單元支撐前述基板于前述處理空間中；等離子體源，前述等離子體源自處理氣體產生等離子體；及擋板單元，前述擋板單元安置于前述支撐單元上方。前述擋板單元包括擋板，前述擋板在其中形成有前述處理氣體及/或前述等離子體流動通過的第一孔，且前述擋板具有形成于前述擋板的邊緣區中的第二孔，前述第二孔中的每一者具有縱向方向，前述縱向方向在自上方檢視時相對于前述擋板的徑向方向傾斜。

技術領域

本文中所描述的本發明概念的實施例涉及一種基板處理設備，且更具體而言涉及一種用于使用等離子體處理基板的基板處理設備。

背景技術

等離子體指含有離子、自由基及電子的離子化氣態物質。等離子體通過加熱中性氣體至極高溫度或使中性氣體經受強電場或RF電磁場影響而產生。半導體裝置制造工藝包括通過使用等離子體來移除基板上的薄膜的灰化或蝕刻工藝。灰化或蝕刻工藝通過允許含有于等離子體中的離子及自由基與基板上的膜碰撞或反應來執行。

圖1為說明一般基板處理設備的部分的視圖。一般基板處理設備2000包括腔室2100及擋板2200。處理氣體供應至腔室2100中。供應至腔室2100中的處理氣體通過產生于腔室2100中的電磁場而被激勵成等離子體狀態。產生于腔室2100中的等離子體通過擋板2200且經遞送至基板中，該擋板在其中形成有多個孔2202。擋板2200經組態，使得產生于腔室2100中的等離子體均一地遞送至基板。

產生于腔室2100中的等離子體的部分通過形成于擋板2200中的多個孔2202。此外，產生于腔室2100中的等離子體的另一部分與擋板2200碰撞。由于使用擋板2200歷時長的時間段，因此擋板2200熱變形。在等離子體與擋板2200碰撞時，擋板2200的熱變形發生。當擋板2200熱變形時，擋板2200在膨脹同時翹曲。擋板2200在翹曲時在垂直方向上上升或下垂。歸因于擋板2200的變形，空隙產生于設置用于將擋板2200耦接腔室2100的耦接構件2204的區域中。當等離子體引入至空隙中時，發弧現象可發生。發弧現象產生諸如微粒的雜質。所產生的雜質可遞送至基板。遞送至基板的雜質阻礙基板的適當處理。

發明內容

本發明概念的實施例提供一種用于有效地處理基板的擋板單元，及一種包括前述擋板單元的基板處理設備。

本發明概念的實施例提供一種用于使擋板與腔室之間的空隙產生最小化的擋板單元，即使擋板的熱變形發生；及一種包括前述擋板單元的基板處理設備。

本發明概念的實施例提供一種用于使發弧現象最小化的擋板單元及一種包括前述擋板單元的基板處理設備。

本發明概念的實施例提供一種用于使諸如微粒的雜質的產生最小化的擋板單元及一種包括前述擋板單元的基板處理設備。

本發明概念的實施例提供一種用于在處理基板中提供額外控制因素的擋板單元，及一種包括前述擋板單元的基板處理設備。

待通過本發明概念解決的技術問題不限于前述問題，且本文中未提及的任何其他技術問題通過本領域技術人員將自此說明書及說明書附圖清楚地理解。

根據例示性實施例，一種用于處理基板的設備包括：具有處理空間的外殼；支撐單元，前述支撐單元支撐前述基板于前述處理空間中；等離子體源，前述等離子體源自處理氣體產生等離子體；及擋板單元，前述擋板單元安置于前述支撐單元上方。前述擋板單元包括擋板，前述擋板在其中形成有前述處理氣體及/或前述等離子體流動通過的第一孔，且前述擋板具有形成于前述擋板的邊緣區中的第二孔，前述第二孔中的每一者具有縱向方向，該縱向方向在自上方檢視時相對于前述擋板的徑向方向傾斜。

根據實施例，沿著前述徑向方向自前述擋板的中心繪制的虛擬直線在自上方檢視時可與前述第二孔中的至少一者重疊。

根據實施例，前述第二孔可沿著前述擋板的周向方向形成于前述邊緣區中。