[發明專利]一種晶圓鍵合方法

有效

• 申請號: 201911345905.1
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN111048429B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 葉國梁;劉天建;易洪昇;胡杏
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 劉曉菲

1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括：

對待鍵合的上晶圓和/或下晶圓進行形變量的調整，所述進行形變量的調整包括：根據已鍵合的上晶圓和下晶圓的相對形變量差值，通過向待補償晶圓施加應力，以在待鍵合的上晶圓和下晶圓上消除所述相對形變量差值，所述施加應力的方法包括：沉積應力材料；所述待補償晶圓為待鍵合的上晶圓和/或下晶圓；所述相對形變量差值為所述已鍵合的上晶圓和下晶圓的形變的差值，所述形變為向上翹曲或向下翹曲；

對已經調整形變量的待鍵合的上晶圓和下晶圓進行鍵合，以獲得鍵合結構；

當所述相對形變量為已鍵合的上晶圓的向下翹曲大于下晶圓的向上翹曲時，所述通過向待補償晶圓施加應力，包括：

向待鍵合的上晶圓施加應力，施加的應力為壓應力；和/或，向待鍵合的下晶圓施加應力，施加的應力為拉應力；

當所述相對形變量為已鍵合的下晶圓的向上翹曲大于上晶圓的向下翹曲時，所述通過向待補償晶圓施加應力，包括：

向待鍵合的下晶圓施加應力，施加的應力為壓應力；和/或，向待鍵合的上晶圓施加應力，施加的應力為拉應力。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在進行鍵合之前，還包括：

分別獲得待鍵合的上晶圓和下晶圓的初始形變量；

確定待補償晶圓，以初始形變量與所述相對形變量差值的差值更小的晶圓作為待補償晶圓。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述應力材料包括：氮化硅或氧化硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積的應力材料的厚度與形變量差值成正比。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，已鍵合的上晶圓和下晶圓為待鍵合的上晶圓和下晶圓的前一批次鍵合晶圓，或者測試鍵合晶圓。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進行鍵合之后，還包括：獲得鍵合結構中上晶圓和下晶圓的相對形變量。