[發(fā)明專利]一種基于GaAs工藝的輸入緩沖電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911344328.4 | 申請(qǐng)日： | 2019-12-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111010166B | 公開（公告）日： | 2023-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 潘曉楓;林宗偉;林瑞;李頌;江倫伯;徐波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中電國(guó)基南方集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K19/0175 | 分類號(hào)： | H03K19/0175;H03K19/003 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人： | 葛瀟敏 |
| 地址： | 211153 江蘇省南京*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 gaas 工藝 輸入 緩沖 電路 | ||
1.一種基于GaAs工藝的輸入緩沖電路，其特征在于：包括第一至第三PHEMT管、第五至第九PHEMT管、第一至第九電阻、第十一至第十四電阻，以及源極跟隨電路；
第一PHEMT管的源極分別連接第二PHEMT管的源極和第三PHEMT管的漏極，第一PHEMT管的柵極分別通過第一電阻連接至輸入信號(hào)IN和通過第二電阻連接至電源電壓VS，第一PHEMT管的漏極通過第五電阻連接至地GND；
第二PHEMT管的柵極分別通過第三電阻連接至地GND和通過第四電阻連接至電源電壓VS，第二PHEMT管的漏極和源極跟隨電路的一端相連，第二PHEMT管的漏極還通過第六電阻連接至地GND；
第三PHEMT管的柵極分別通過第七電阻連接至地GND和通過第八電阻R8連接至電源電壓VS，第三PHEMT管的源極通過第九電阻R9連接至電源電壓VS；
第五PHEMT管的柵極和源極跟隨電路的另一端相連并通過第十一電阻連接至電源電壓VS，第五PHEMT管的源極連接至電源電壓VS，第五PHEMT管的漏極與第六PHEMT管的柵極相連，并通過第十二電阻連接至地GND；
第六PHEMT管的源極連接電源電壓VS，第六PHEMT管的漏極連接第七PHEMT管的柵極、第八PHEMT管的柵極和輸出信號(hào)Q，并通過第十三電阻連接至第七PHEMT管的源極；
第八PHEMT管的源極連接電源電壓VS，第八PHEMT管的漏極分別連接第九PHEMT管的柵極和輸出信號(hào)并通過第十四電阻連接至第九PHEMT管的源極；
第七PHEMT管的漏極和第九PHEMT管的漏極均連接至地GND；
設(shè)置第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻的阻值，使得第一PHEMT管的柵極的電壓與第二PHEMT管的柵極的電壓相等；
所述源極跟隨電路包括第四PHEMT管、第十電阻、第一至第三肖特基二極管，其中，第四PHEMT管的漏極連接至地GND，第四PHEMT管的柵極連接第二PHEMT管的漏極，第四PHEMT管的源極通過第十電阻連接至第一肖特基二極管的正向輸入端；第二肖特基二極管的正向輸入端連接至第一肖特基二極管的負(fù)向輸出端，第二肖特基二極管的負(fù)向輸出端連接至第三肖特基二極管的正向輸入端；第三肖特基二極管的負(fù)向輸出端連接第五PHEMT管的柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于GaAs工藝的輸入緩沖電路，其特征在于：所述輸入信號(hào)IN為5V/0V?TTL信號(hào)，電源電壓VS的大小為-5V，輸出信號(hào)Q與為互補(bǔ)信號(hào)，大小為0V/-5V。
3.如權(quán)利要求1所述的一種基于GaAs工藝的輸入緩沖電路，其特征在于：所述第七PHEMT管與第十三電阻構(gòu)成有源負(fù)載電路。
4.如權(quán)利要求1所述的一種基于GaAs工藝的輸入緩沖電路，其特征在于：所述第九PHEMT管與第十四電阻構(gòu)成有源負(fù)載電路。
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