[發(fā)明專利]多孔/無孔單分子層晶體的可控制備及應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911344320.8
• 申請(qǐng)日: 2019-12-24
• 公開（公告）號(hào): CN113036039A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江浪;李海陽;石燕君;劉潔;劉江虹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所
• 主分類號(hào): H01L51/40
• 分類號(hào): H01L51/40;H01L51/05
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 王春霞

1.多孔或無孔單分子層晶體的制備方法，包括如下步驟：

以有機(jī)小分子為原料，通過對(duì)基底表面能的調(diào)控，利用滴注法即在所述基底得到多孔或無孔單分子層晶體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述有機(jī)小分子為式Ⅰ所示化合物，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述滴注法采用的溶劑為甲苯、鄰二甲苯、氯苯或鄰二氯苯；

所采用的溶液的濃度為0.01～1mg/mL。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：采用等離子體清洗、OTS、BCB、Cytop或PMMA調(diào)控所述基底表面能。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述調(diào)控方式如下1)-5)中任一種：

1)將待修飾基底置于氧等離子體清洗機(jī)中進(jìn)行清洗；

2)將待修飾基底置于OTS氛圍的真空烘箱中靜置；

3)在手套箱中，采用BCB溶液在待修飾基底表面旋涂，并退火；

4)在手套箱中，采用Cytop溶液在待修飾基底表面旋涂，并退火；

5)在空氣中，采用PMMA溶液在修飾基底表面旋涂，并退火。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：所述基底為硅基底、帶有ITO電極的PET或ITO玻璃。

7.權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述方法制備的多孔或無孔單分子層晶體。

8.權(quán)利要求7所述多孔或無孔單分子層晶體在制備基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的傳感器中的應(yīng)用；

所述多孔或無孔單分子層晶體作為半導(dǎo)體層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的應(yīng)用，其特征在于：所述傳感器為固相傳感器或氣相傳感器。

10.一種基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的傳感器，其特征在于：權(quán)利要求7所述多孔或無孔單分子層晶體作為半導(dǎo)體層。