[發明專利]多頭切花菊瓶內開花的培養方法

在審

• 申請號: 201911344201.2
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN111066655A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 劉丹;左李娜;王容;蔣勱博;吳海峰;陳天烺;方萍;陳煒;趙鵬霞
• 申請（專利權）人: 浙江海豐花卉有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢

1.一種多頭菊瓶內開花的培養方法，包括如下步驟：

(1)將多頭菊的花頭作為外植體接種于不定芽培養基中進行培養，直至花頭分化出長為5-6cm的不定芽；

(2)將所述不定芽切成長為2-3cm且帶有1-3個葉芽的莖段，并接種于增殖培養基中進行培養，直至得到5-6cm的菊花小苗；

(3)將所述菊花小苗切成長為2-3cm且帶有1-3個葉芽的莖段，并接種于開花預培養基中進行培養，得到開花預培養后的菊花苗；

(4)將所述開花預培養后的菊花苗切成長為2-3cm且帶有1-3個葉芽的莖段，并接種于開花培養基中進行培養，實現多頭菊的瓶內開花。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(1)中，所述不定芽培養基包括6-芐氨基腺嘌呤和萘乙酸；

或，所述6-芐氨基腺嘌呤在所述不定芽培養基中的濃度為1.0-1.5mg/L；

或，所述萘乙酸在所述不定芽培養基中的濃度為0.1-0.2mg/L。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟(2)中，所述增殖培養基包括6-芐氨基腺嘌呤和活性炭；

或，所述6-芐氨基腺嘌呤在所述增殖培養基中的濃度為0.1-0.5mg/L；

或，所述活性炭在所述增殖培養基中的濃度為0.3-0.5mg/L。

4.根據權利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述步驟(3)中，所述開花預培養基包括6-芐氨基腺嘌呤和蛭石；

或，所述6-芐氨基腺嘌呤在所述開花預培養基中的濃度為0.1-0.5mg/L；

或，所述蛭石在所述開花預培養基中的濃度為200-300mg/L。

5.根據權利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：所述步驟(4)中，所述開花培養基包括改良MS培養基、6-芐氨基腺嘌呤、多效唑和蛭石；

所述改良MS培養基包括1237.5mg/L的NH₄NO₃和255mg/L的KH₂PO₄；

或，所述6-芐氨基腺嘌呤在所述開花培養基中的濃度為0.02-0.05mg/L；

或，所述6-芐氨基腺嘌呤在所述開花培養基中的濃度為0.05mg/L；

或，所述多效唑在所述開花培養基中的濃度為0.1-0.4mg/L；

或，所述多效唑在所述開花培養基中的濃度為0.4mg/L；

或，所述蛭石在所述開花培養基中的濃度為200-300mg/L；

或，所述蛭石在所述開花培養基中的濃度為300mg/L。

6.根據權利要求1-5任一所述的方法，其特征在于：所述步驟(1)中，所述培養條件如下：培養溫度為22±2℃，光照強度為2000lx，光照時間為14h/d；

或，所述步驟(2)中，所述培養條件如下：培養溫度為22±2℃，光照強度為2000lx，光照時間為14h/d；

或，所述步驟(3)中，所述培養條件如下：培養溫度為25±2℃，光照強度為2000lx，光照時間為8h/d，培養時間為40-50天；

或，所述步驟(4)中，所述培養條件如下：培養溫度為25±2℃，光照強度為2000lx，光照時間為8h/d。

7.根據權利要求1-6任一所述的方法，其特征在于：所述步驟(1)前還包括對外植體進行消毒滅菌的步驟；

或，所述消毒滅菌的方法包括如下步驟：

(a1)將多頭菊花頭在洗潔精水中浸泡，沖洗；

(a2)將(a1)得到的花頭在多菌靈溶液中浸泡，沖洗；

(a3)將(a2)得到的花頭在乙醇溶液中浸泡，沖洗；

(a4)將(a3)得到的花頭在次氯酸鈉溶液中浸泡，沖洗，得到消毒滅菌后的花頭；

或，所述花頭為直徑為3cm且開放度為4度的多頭菊花頭。

8.根據權利要求1-7任一所述的方法，其特征在于：

所述多頭菊為多頭切花菊；

或，所述多頭菊品種為純心。