[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911341696.3 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111129255A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張鍾敏;金彰淵;林栽熙 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/46 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜長(zhǎng)星;張川緒 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 | ||
1.一種發(fā)光二極管，包括：
基板；
半導(dǎo)體堆疊層，布置于所述基板的下部，且包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及介于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的活性層；
光阻擋層，以在所述基板的上表面限定發(fā)光面的方式覆蓋所述基板的側(cè)面以及上表面，
其中，所述基板的側(cè)面包括與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面垂直的側(cè)面和與所述垂直的側(cè)面傾斜的側(cè)面，
其中，所述發(fā)光二極管還包括：
歐姆反射層，電連接于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及
第一凸塊焊盤(pán)和第二凸塊焊盤(pán)，布置于所述歐姆反射層的下部，且分別與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
所述發(fā)光面具有比所述基板的上表面窄的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
所述光阻擋層沿所述基板的上表面的邊緣而覆蓋所述基板的上表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其中，
所述發(fā)光面具有圓形、橢圓形或者多邊形形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
所述發(fā)光面被所述光阻擋層劃分為多個(gè)區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其中，
所述多個(gè)區(qū)域具有彼此相同的形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其中，
所述多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域包圍另一區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
所述光阻擋層包括金屬反射層或分布布拉格反射器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
位于所述基板的上表面的所述光阻擋層的厚度比位于所述基板的側(cè)面的光阻擋層的厚度更厚。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，包括：
布置于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之上的臺(tái)面，
其中，所述臺(tái)面包括所述活性層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，
其中，所述臺(tái)面與所述基板的側(cè)面隔開(kāi)，
其中，所述光阻擋層與所述臺(tái)面橫向隔開(kāi)而布置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，還包括：
下部絕緣層，覆蓋所述歐姆反射層，且包括使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層暴露的第一開(kāi)口部以及使所述歐姆反射層暴露的第二開(kāi)口部；
第一焊盤(pán)金屬層，布置于所述下部絕緣層上，且通過(guò)所述第一開(kāi)口部電連接于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
第二焊盤(pán)金屬層，布置于所述下部絕緣層上，且通過(guò)所述第二開(kāi)口部電連接于所述歐姆反射層；以及
上部絕緣層，覆蓋所述第一焊盤(pán)金屬層和所述第二焊盤(pán)金屬層，且包括使所述第一焊盤(pán)金屬層暴露的第一開(kāi)口部以及使所述第二焊盤(pán)金屬層暴露的第二開(kāi)口部，
其中，所述第一凸塊焊盤(pán)和第二凸塊焊盤(pán)布置于所述上部絕緣層上，并通過(guò)所述上部絕緣層的第一開(kāi)口部和第二開(kāi)口部分別連接于所述第一焊盤(pán)金屬層和所述第二焊盤(pán)金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中，
所述臺(tái)面可以包括：通孔，通過(guò)貫穿第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和活性層而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層暴露，
其中，所述第一焊盤(pán)金屬層可電連接于通過(guò)所述通孔暴露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中，
所述臺(tái)面在側(cè)面還可以包括凹陷部，所述凹陷部使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層暴露，
其中，所述第一焊盤(pán)金屬層電連接于通過(guò)所述凹陷部暴露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
