[發明專利]等離子體刻蝕裝置及其工作方法

在審

• 申請號: 201911339775.0
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN113097097A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 楊金全;黃允文
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于，包括：

反應腔，其內具有放置待處理基片的基座；

上電極組件，位于所述反應腔頂部，與基座相對設置；

冷卻器件，設置于所述上電極組件上；

第一驅動裝置，與所述冷卻器件連接，用于驅動所述冷卻器件離開或接觸所述上電極組件；以及

加熱器件，設置于所述上電極組件上，用于對所述上電極組件進行加熱。

2.如權利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述上電極組件朝向所述冷卻器件和加熱器件的表面設置導熱片。

3.如權利要求2所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述導熱片是柔性石墨片。

4.如權利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述冷卻器件內設置流體通道，所述流體通道內容納流體，利用所述流體對所述上電極組件進行冷卻。

5.如權利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述加熱器件連接第二驅動裝置，所述第二驅動裝置用于驅動所述加熱器件離開或接觸所述上電極組件。

6.如權利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述加熱器件設置于所述上電極組件上，通過控制所述加熱器件是否通電對所述上電極組件進行加熱或者不加熱。

7.如權利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述反應腔與所述上電極組件之間設置接地襯墊。

8.如權利要求7所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述接地襯墊所包含的材料有鋁。

9.如權利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述反應腔與所述上電極組件之間設置隔熱襯墊。

10.如權利要求9所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述隔熱襯墊包含塑料。

11.一種等離子體處理裝置的工作方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供權利要求1至權利要求10中的任一項所述的等離子體處理裝置；

當所述等離子體處理裝置內進行等離子體刻蝕工藝時，通過所述第一驅動裝置驅動所述冷卻器件與所述上電極組件接觸，對所述上電極組件進行降溫，所述加熱器件不對所述上電極組件加熱；

當所述等離子體處理裝置內不進行等離子體刻蝕工藝時，通過所述第一驅動裝置驅動所述冷卻器件離開所述上電極組件，并利用所述加熱器件對所述上電極組件進行加熱。

12.如權利要求11所述的等離子體處理裝置的工作方法，其特征在于，當所述加熱器件連結所述第二驅動裝置時，所述等離子體處理裝置的工作方法包括：

當所述等離子體處理裝置內進行等離子體刻蝕工藝時，通過所述第一驅動裝置驅動所述冷卻器件與所述上電極組件接觸，對所述上電極組件進行降溫，通過所述第二驅動裝置驅動所述加熱器件離開所述上電極組件，不對所述上電極組件加熱；以及

當所述等離子體處理裝置內不進行等離子體刻蝕工藝時，通過所述第一驅動裝置驅動所述冷卻器件離開所述上電極組件，不對所述上電極組件進行降溫，通過所述第二驅動裝置驅動所述加熱器件與所述上電極組件接觸，用于對所述上電極組件進行加熱。

13.如權利要求11所述的等離子體處理裝置的工作方法，其特征在于，所述加熱器件設置于所述上電極組件上，通過控制所述加熱器件是否通電對所述上電極組件進行加熱或者不加熱時，所述等離子體處理裝置的工作方法包括：

當所述等離子體處理裝置內進行等離子體刻蝕工藝時，通過所述第一驅動裝置驅動所述冷卻器件與所述上電極組件接觸，對所述上電極組件進行降溫，使所述加熱器件斷電，不對所述上電極組件加熱；以及

當所述等離子體處理裝置內不進行等離子體刻蝕工藝時，通過所述第一驅動裝置驅動所述冷卻器件離開所述上電極組件，不對所述上電極組件進行降溫，使所述加熱器件通電，對所述上電極組件進行加熱。