[發明專利]一種用于恒定導通時間控制模式開關電源的紋波注入電路

在審

• 申請號: 201911338719.5
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN110932532A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 夏雪;董磊;王婉;王勇
• 申請（專利權）人: 西安航天民芯科技有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 西安利澤明知識產權代理有限公司 61222
• 代理人: 劉偉

1.一種用于恒定導通時間控制模式開關電源的紋波注入電路，其特征在于，包含紋波電壓產生電路及與紋波電壓產生電路輸出端連接的紋波注入電流產生電路。

2.如權利要求1所述的一種用于恒定導通時間控制模式開關電源的紋波注入電路，其特征在于，所述紋波電壓產生電路包括第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一電容、第二電容；

所述第五電阻的一端分別與第四電阻的一端、第一電容的正端連接，所述第一電容的負端接地，所述第四電阻的另一端分別與第三電阻的一端、第二電阻的一端連接；所述第三電阻的另一端接地，所述第二電阻的另一端與第二電容的正端連接；所述第二電容的負端接地。

3.如權利要求2所述的一種用于恒定導通時間控制模式開關電源的紋波注入電路，其特征在于，紋波注入電流產生電路包括第一P型三極管、第二P型三極管、第一N型三極管、第二N型三極管、第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第五P型MOS管、第六P型MOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管和第一電阻；

所述第一P型三極管的基極與紋波電壓產生電路中的第二電阻一端和第二電容正端的連接點連接，其集電極與地連接，發射極同時與第一P型MOS管的漏極、第一N型三極管的基極連接；

所述第二P型三極管的基極與紋波電壓產生電路中的第三電阻一端、第四電阻一端和第二電阻一端三者的連接點連接，其集電極與地連接，發射極同時與第二P型MOS管的漏極、第二N型三極管的基極連接；

所述第一N型三極管的基極同時與第一P型三極管的發射極、第一P型MOS管的漏極連接，第一N型三極管的集電極與第三P型MOS管的柵極、第四P型MOS管的柵極、第四P型MOS管的漏極連接，第一N型三極管的發射極與第三N型MOS管的漏極、第一電阻的一端連接；

所述第二N型三極管的基極同時與第二P型三極管的發射極、第二P型MOS管的漏極連接，第二N型三極管的集電極同時與第六P型MOS管的柵極、第五P型MOS管的柵極、第五P型MOS管的漏極連接，第一N型三極管的發射極同時與第四N型MOS管的漏極、第一電阻的另一端連接；

所述第一P型MOS管的漏極同時與第一P型三極管的發射極、第一N型NPN管的基極連接；

所述第二P型MOS管的漏極同時與第二P型三極管的發射極、第二N型三極管的基極連接；

所述第三P型MOS管的柵極同時與第四P型MOS管的柵極、第四P型MOS管的漏極、第一N型三極管的集電極連接；第三P型MOS管的漏極同時與第一N型MOS管的漏極、柵極連接；

所述第四P型MOS管的柵極同時與第三P型MOS管的柵極、第四P型MOS管的漏極、第一N型三極管的集電極連接，第四P型MOS管的漏極同時與第四P型MOS管的柵極、第三P型MOS管的柵極、第一N型三極管的集電極連接；

所述第五P型MOS管的柵極同時與第六P型MOS管的柵極、第五P型MOS管的漏極、第二N型三極管的集電極連接，第五P型MOS管的漏極同時與第五P型MOS管的柵極、第六P型MOS管的柵極、第二N型三極管的集電極連接；

所述第六P型MOS管的柵極同時與第五P型MOS管的柵極、第五P型MOS管的漏極、第二N型三極管的集電極連接，第六P型MOS管的漏極與第二N型MOS管的漏極連接；

所述第一N型MOS管的柵極同時與第一N型MOS管的漏極、第三P型MOS管的漏極、第二N型MOS管的柵極連接，第一N型MOS管的源極、襯底均與地連接；

所述第二N型MOS管的柵極同時與第一N型MOS管的柵極、第一N型MOS管的漏極、第三P型MOS管的漏極連接，第二N型MOS管的漏極與第六P型MOS管的漏極連接，第二N型MOS管源極、襯底均與地連接；

所述第三N型MOS管的漏極同時與第一N型三極管的發射極、第一電阻的一端連接，第三N型MOS管的源極、襯底均與地連接；

所述第四N型MOS管的漏極同時與第二N型三極管的發射極、第一電阻的另一端連接，第四N型MOS管的源極、襯底均與地連接。