[發明專利]顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201911338115.0 | 申請日: | 2019-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN111384125A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發明(設計)人: | S-Y·鄭 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 孫東喜;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基準子像素,所述基準子像素在基板上設置有單個發光層;
混合子像素,所述混合子像素在所述基板上設置有彼此交疊的兩個或更多個發光層以發射不同顏色的光;
電荷產生層,所述電荷產生層在所述混合子像素處位于所述混合子像素的所述發光層之間以發射不同顏色的光;
第一電極,所述第一電極分別位于所述基準子像素的所述發光層下方和所述混合子像素的發光層中的下部的一個發光層下方;以及
第二電極,所述第二電極在所述基準子像素的所述發光層上方和所述混合子像素的發光層中的上部的一個發光層上方。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述基準子像素是第一子像素至第三子像素中的一個或更多個,所述第一子像素至所述第三子像素中的每個子像素設置有第一發光層至第三發光層中的相關聯的一個發光層作為單個發光層;并且
所述混合子像素的發射不同顏色的光的兩個發光層分別是所述第一子像素至所述第三子像素的所述第一發光層至所述第三發光層中的至少兩個發光層的延伸部。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
堤,所述堤設置在所述基準子像素和所述混合子像素之間的邊界處。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,所述基準子像素處的所述第一發光層至所述第三發光層中的每一個延伸到與所述基準子像素相鄰的至少一個混合子像素,并且在至少一個基準子像素、至少一個混合子像素以及它們之間的堤上方連續。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述第一發光層具有在430nm至480nm的波長范圍內的峰值波長;
所述第二發光層具有在600nm至650nm的波長范圍內的峰值波長;并且
所述第三發光層具有在500nm至580nm的波長范圍內的峰值波長。
6.根據權利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
公共空穴傳輸層,所述公共空穴傳輸層在所述基準子像素處設置在所述基準子像素的所述第一電極與所述第一發光層至所述第三發光層中的作為所述基準子像素的所述單個發光層的一個發光層之間;以及
公共電子傳輸層,所述公共電子傳輸層在所述基準子像素處設置在所述第一發光層至所述第三發光層中的作為所述基準子像素的所述單個發光層的一個發光層與所述第二電極之間。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,
所述公共空穴傳輸層在所述混合子像素的所述第一電極與所述混合子像素的所述發光層中的最下方的一個發光層之間連續地延伸通過混合子像素,
其中,所述公共電子傳輸層在所述混合子像素的所述發光層中的最上方的一個發光層與所述第二電極之間連續地延伸通過所述混合子像素。
8.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述混合子像素具有層壓結構,在所述層壓結構中,所述第一發光層的延伸部、第一電荷產生層、所述第二發光層的延伸部、第二電荷產生層以及所述第三發光層的延伸部按照該順序從靠近所述第一電極的一側開始在所述混合子像素的所述第一電極和所述第二電極之間依次層壓。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述第一子像素至所述第三子像素中的每一個設置為與所述混合子像素相鄰。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911338115.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





