[發明專利]回滯類器件的ESD行為級模型電路

有效

• 申請號: 201911337374.1
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN111046621B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 王源;王藝澤
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G06F30/367
• 分類號: G06F30/367
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張秀程

1.一種回滯類器件的ESD行為級模型電路，其特征在于，包括：第一壓控開關、第二壓控開關、維持電路、自熱電路、第一電阻、漏電電阻和第一電壓源，其中，

所述自熱電路包括流控電流源、壓控電壓源、自熱電容和自熱電阻；

所述維持電路包括三個支路，第一支路包括串聯的第一電感和第一電容，第二支路包括串聯的第二電阻和第二電容，第三支路包括第三電阻；

所述自熱電容和所述自熱電阻并聯后與所述流控電流源串聯；

所述壓控電壓源產生的電壓受所述自熱電容的電壓的控制；

所述壓控電壓源、所述第一電阻、所述第二壓控開關和所述第一電壓源串聯組成泄放電路，所述泄放電路的電壓為所述第一壓控開關的控制電壓；

所述第一電壓源用于表示所述回滯類器件的電壓；

所述流控電流源產生的電流受所述泄放電路的電流控制；

所述第一壓控開關與所述維持電路串聯后再與所述泄放電路并聯；

所述第二壓控開關與所述第一電壓源串聯后再與所述漏電電阻并聯；

維持電路的電壓為第二壓控開關的控制電壓。

2.根據權利要求1所述的回滯類器件的ESD行為級模型電路，其特征在于，所述流控電流源為非線性流控電流源，所述壓控電壓源為線性壓控電壓源。

3.根據權利要求1或2所述的回滯類器件的ESD行為級模型電路，其特征在于，所述第一壓控開關的最高開啟電壓大于所述第一壓控開關的最低截止電壓；所述第二壓控開關的最高開啟電壓大于所述第二壓控開關的最低截止電壓。

4.根據權利要求3所述的回滯類器件的ESD行為級模型電路，其特征在于，所述第一壓控開關與所述第二壓控開關相同。

5.一種回滯類器件的ESD特性仿真方法，其特征在于，包括：

構建如權利要求1-4中任一項所述的回滯類器件的ESD行為級模型電路；

通過TLP激勵對所述回滯類器件進行測試，獲取所述回滯類器件的ESD行為級模型電路中各元器件的物理參數；

將所述各元器件的物理參數寫入所述行為級模型電路中，通過TLP激勵進行仿真。

6.根據權利要求5所述的回滯類器件的ESD特性仿真方法，其特征在于，

所述通過TLP激勵對所述回滯類器件進行測試，獲取所述回滯類器件的ESD行為級模型電路中各元器件的物理參數，具體包括：

將TLP激勵作為ESD激勵電壓對所述回滯類器件進行測試，獲取所述回滯類器件的ESD行為級模型電路中各元器件的物理參數；

所述將所述各元器件的物理參數寫入所述行為級模型電路中，通過TLP激勵進行仿真，具體包括：

將所述各元器件的物理參數寫入所述行為級模型電路中，通過將TLP激勵作為ESD激勵電壓加載在所述泄放電路的兩端進行仿真。

7.一種回滯類器件的ESD特性仿真裝置，其特征在于，包括：

構建單元，用于構建如權利要求1-4中任一項所述的回滯類器件的ESD行為級模型電路；

測試單元，用于通過TLP激勵對所述回滯類器件進行測試，獲取所述回滯類器件的ESD行為級模型電路中各元器件的物理參數；

仿真單元，用于將所述各元器件的物理參數寫入所述行為級模型電路中，通過TLP激勵進行仿真。

8.根據權利要求7所述的回滯類器件的ESD特性仿真裝置，其特征在于，

所述測試單元，具體用于，將TLP激勵作為ESD激勵電壓對所述回滯類器件進行測試，獲取所述回滯類器件的ESD行為級模型電路中各元器件的物理參數；

所述仿真單元，具體用于，將所述各元器件的物理參數寫入所述行為級模型電路中，通過將TLP激勵作為ESD激勵電壓加載在泄放電路的兩端進行仿真。

9.一種電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述程序時實現如權利要求5或6所述的回滯類器件的ESD特性仿真方法的步驟。

10.一種非暫態計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，該計算機程序被處理器執行時實現如權利要求5或6所述的回滯類器件的ESD特性仿真方法的步驟。