[發明專利]像素結構及其制造方法、以及具有此種像素結構的顯示器在審
| 申請號: | 201911335959.X | 申請日: | 2019-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN112951865A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 吳明憲;蔡曜駿 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 及其 制造 方法 以及 具有 顯示器 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,包括:
原始發光二極管管芯,包括第一外延層、第一電極和第二電極,所述第一電極和所述第二電極設置于所述第一外延層的相對側;
修補用發光二極管管芯,與所述原始發光二極管管芯為同色光,其中所述修補用發光二極管管芯包括第二外延層、第三電極和第四電極,所述第三電極和所述第四電極設置于所述第二外延層的相同側;以及
延伸導體,具有第一部分和第二部分,所述第一部分電連接所述原始發光二極管管芯的所述第二電極,所述第二部分電連接所述修補用發光二極管管芯的所述第三電極,
其中所述延伸導體還具有切斷區域,所述切斷區域位于所述第一部分或位于所述第一部分和所述第二部分之間。
2.根據權利要求1所述的像素結構,還包括:
基板;
圖案化導電層,設置于所述基板上,并具有第一圖案和第二圖案,其中所述原始發光二極管管芯以所述第一電極設置于所述圖案化導電層的所述第一圖案上;以及
介電保護層,包覆所述原始發光二極管管芯,并具有開口,所述開口曝露出所述第二電極;
其中所述延伸導體至少部分地設置于所述介電保護層上,所述延伸導體的所述第一部分通過所述開口連接所述原始發光二極管管芯的所述第二電極;
其中所述修補用發光二極管管芯的所述第三電極設置于所述延伸導體的所述第二部分上,所述第四電極連接所述圖案化導電層的所述第二圖案。
3.根據權利要求2所述的像素結構,其中所述介電保護層設置于所述原始發光二極管管芯上。
4.根據權利要求3所述的像素結構,其中所述延伸導體的所述第二部分設置于所述基板上,所述修補用發光二極管管芯通過所述延伸導體的所述第二部分和所述圖案化導電層的所述第二圖案設置于所述基板上。
5.根據權利要求2所述的像素結構,其中所述介電保護層的頂面高過所述原始發光二極管管芯的頂面,且所述修補用發光二極管管芯位于所述介電保護層的所述頂面上。
6.根據權利要求2所述的像素結構,其中所述介電保護層延伸于所述基板上,并覆蓋所述基板、所述圖案化導電層和所述原始發光二極管管芯。
7.根據權利要求6所述的像素結構,其中所述延伸導體的所述第二部分水平地設置于所述介電保護層上,且所述像素結構還包括:
連接導體,具有接線部分和導孔部分,所述接線部分設置于所述介電保護層上,所述導孔部分穿過所述介電保護層并連接所述圖案化導電層的所述第二圖案;
其中所述修補用發光二極管管芯通過所述延伸導體的所述第二部分和所述連接導體的所述接線部分設置于所述介電保護層上。
8.根據權利要求1所述的像素結構,其中所述原始發光二極管管芯的數目為多個,且所述延伸導體的所述第一部分電連接所述多個原始發光二極管管芯的所述第二電極。
9.根據權利要求1所述的像素結構,其中所述原始發光二極管管芯和所述修補用發光二極管管芯具有相同面積的發光區域。
10.一種顯示器,其特征在于,包括:
多個像素結構,配置成陣列,其中所述像素結構中至少一者包括:
原始發光二極管管芯,包括第一外延層、第一電極和第二電極,所述第一電極和所述第二電極設置于所述第一外延層的相對側;
修補用發光二極管管芯,與所述原始發光二極管管芯為同色光,其中所述修補用發光二極管管芯包括第二外延層、第三電極和第四電極,所述第三電極和所述第四電極設置于所述第二外延層的相同側;以及
延伸導體,具有第一部分和第二部分,所述第一部分電連接所述原始發光二極管管芯的所述第二電極,所述第二部分電連接所述修補用發光二極管管芯的所述第三電極,
其中所述延伸導體還具有切斷區域,所述切斷區域位于所述第一部分或位于所述第一部分和所述第二部分之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





