[發(fā)明專利]金電極芯片用劃片液

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911335888.3
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN111117753B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設計）人: 李文瀚;楊同勇
• 申請（專利權）人: 三達奧克化學股份有限公司
• 主分類號: C10M173/02
• 分類號: C10M173/02;C10N30/18;C10N30/04
• 代理公司: 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732
• 代理人: 周新楣

本發(fā)明公開一種金電極芯片用劃片液，是選用無泡兩性表面活性劑、乙二胺乙氧基丙氧基化物、聚乙二醇10000與水復配而成，不僅動態(tài)潤濕能力強，可快速潤濕刀片和切割道，而且泡沫極低且消泡快，同時因乙二胺乙氧基丙氧基化物具有豐富的支鏈結構，在溶液中形成局部短程的空間位阻，可填充在聚乙二醇搭建的基礎框架中，顯著提高溶液的空間位阻密度，增強切割粉末的懸浮分散能力，避免切割粉末在芯片上黏附，保證了切片質(zhì)量。

技術領域

本發(fā)明屬于半導體器件制造領域，尤其涉及一種泡沫少且易消失、粉末懸浮性好的金電極芯片用劃片液。

背景技術

半導體器件是經(jīng)過集成電路設計、芯片制造和封裝等主要環(huán)節(jié)而制成。芯片制造是在晶圓上同時批量制造多個結構相同的獨立單元，并在封裝前用刀片切割，使獨立單元彼此分開，進而封裝功能化的個體。刀片切割芯片時需要匹配劃片液，其目的之一是在刀片和芯片摩擦時潤滑和冷卻界面，降低刀片磨損、減少生成熱及加速熱量傳導；另一目的是分散切割粉末，避免粉末在芯片上黏附。

現(xiàn)有劃片液有的采用有機硅或磷酸酯類表面活性劑等制成，但此類表面活性劑泡沫豐富，泡沫的持續(xù)積累會減少后續(xù)表面活性劑在刀片和切割道上的吸附量，使得切割粉末產(chǎn)生速率迅速提高，難以保證切割質(zhì)量；同時泡沫積累易溢出槽體，污染機臺和超凈生產(chǎn)場所。有的劃片液采用聚乙烯醇或聚乙二醇提供懸浮分散功能，但是因聚乙烯醇和聚乙二醇為直鏈結構，溶液中無規(guī)則的隨機分布使其只能搭建空間網(wǎng)絡結構的基礎框架，空間位阻密度小，切割粉末在短程局部的聚集導致懸浮分散能力不足，有時會出現(xiàn)粉末在芯片上黏附的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術所存在的上述技術問題，提供一種泡沫少且易消失、粉末懸浮性好的金電極芯片用劃片液。

本發(fā)明的技術解決方案是：一種金電極芯片用劃片液，其特征是由以下質(zhì)量百分比的原料組成：無泡兩性表面活性劑1~6%、乙二胺乙氧基丙氧基化物3~6%、聚乙二醇100000.5~1%及去離子水余量，所述乙二胺乙氧基丙氧基化物結構式如下：

其中k和n為非零的整數(shù)。

本發(fā)明選用無泡兩性表面活性劑、乙二胺乙氧基丙氧基化物、聚乙二醇10000與水復配而成，不僅動態(tài)潤濕能力強，可快速潤濕刀片和切割道，而且泡沫極低且消泡快，同時因乙二胺乙氧基丙氧基化物具有豐富的支鏈結構，在溶液中形成局部短程的空間位阻，可填充在聚乙二醇搭建的基礎框架中，顯著提高溶液的空間位阻密度，增強切割粉末的懸浮分散能力，避免切割粉末在芯片上黏附，保證了切片質(zhì)量。

具體實施方式

實施例1：

室溫下，去離子水中添加1%無泡兩性表面活性劑（上海發(fā)凱化工有限公司FC-39）和1%聚乙二醇10000，攪拌10min，再添加3%乙二胺乙氧基丙氧基化物（科萊恩PN30）攪拌20min即可。

實施例2：

室溫下，去離子水中添加5%無泡兩性表面活性劑（上海發(fā)凱化工有限公司FC-39）和0.5%聚乙二醇10000，攪拌10min，再添加5%乙二胺乙氧基丙氧基化物（科萊恩PN30）攪拌20min即可。

實施例3：

室溫下，去離子水中添加6%無泡兩性表面活性劑（上海發(fā)凱化工有限公司FC-39）和1%聚乙二醇10000，攪拌10min，再添加6%乙二胺乙氧基丙氧基化物（科萊恩PN30）攪拌20min即可。

采用市售劃片液（對比例）和本發(fā)明實施例1、2、3分別用去離子水稀釋5000倍作為金電極芯片用劃片液使用，效果如表1所示。

表1