[發(fā)明專利]增強型高電子遷移率晶體管元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911334823.7 | 申請日： | 2019-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN112397584B | 公開（公告）日： | 2023-09-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳智偉;溫文瑩 | 申請（專利權）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127 | 代理人： | 孫乳筍;周永君 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 增強 電子 遷移率 晶體管 元件 | ||
1.一種增強型高電子遷移率晶體管元件，其特征在于，包括：
通道層，配置于基板上；
阻擋層，配置于所述通道層上；
介電層，配置于所述阻擋層上；
柵極，配置于所述介電層上；
源極與漏極，位于所述柵極兩側，且配置于所述通道層及所述阻擋層中；以及
金屬層，配置于所述通道層及所述阻擋層中且由高功函數(shù)金屬構成，所述金屬層的上表面從所述阻擋層的上表面凸出，且所述金屬層位于所述柵極下方，所述柵極的寬度大于所述金屬層的寬度；
所述高功函數(shù)金屬至少分布于所述金屬層與所述通道層及所述阻擋層接觸的接口。
2.根據(jù)權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管元件，其特征在于，所述金屬層較接近所述源極的側表面至所述柵極較接近所述源極的側表面的距離為0.25μm至0.50μm，所述金屬層較接近所述漏極的側表面至所述柵極較接近所述漏極的側表面的距離為0.25μm至0.50μm。
3.根據(jù)權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管元件，其特征在于，所述高功函數(shù)金屬的功函數(shù)超過4.0電子伏特。
4.根據(jù)權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管元件，其特征在于，所述高功函數(shù)金屬包括鈦、鋁、鉻、鎢、鉬、金或鉑。
5.根據(jù)權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管元件，其特征在于，所述金屬層的寬度為3μm至5μm。
6.根據(jù)權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管元件，其特征在于，所述金屬層為柵欄狀，且所述金屬層的數(shù)目為至少兩個。
7.根據(jù)權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管元件，其特征在于，所述金屬層的上表面寬度與下表面寬度相同。
8.根據(jù)權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管元件，其特征在于，所述金屬層的上表面寬度與下表面寬度不同。
9.根據(jù)權利要求8所述的增強型高電子遷移率晶體管元件，其特征在于，所述金屬層為梯形或倒梯形。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于新唐科技股份有限公司，未經(jīng)新唐科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911334823.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
