[發明專利]冗余結構及其形成方法有效
| 申請號： | 201911334713.0 | 申請日： | 2019-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN111048412B | 公開（公告）日： | 2022-12-16 |
| 發明（設計）人： | 李妍;辻直樹;汪韜 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L29/49;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 冗余 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種冗余結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底包括有源區和隔離區；所述有源區的所述半導體襯底上形成有介質層，所述隔離區的所述半導體襯底上形成有隔離層；
去除所述介質層，暴露出所述有源區的所述半導體襯底；
在暴露出的所述半導體襯底上形成柵氧化層；
形成介電常數膜層，所述介電常數膜層覆蓋所述柵氧化層和所述隔離層；
形成多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋所述介電常數膜層；以及，
執行刻蝕工藝，選擇性刻蝕所述多晶硅層和所述介電常數膜層，并停止在所述隔離層上，暴露出所述隔離層的部分，剩余的所述多晶硅層覆蓋剩余的所述介電常數膜層，剩余的所述介電常數膜層覆蓋部分所述隔離層。
2.如權利要求1所述的冗余結構的形成方法，其特征在于，所述介質層包括依次形成的氧化層、硅材料層、墊氧化硅層和墊氮化硅層，所述氧化層覆蓋所述有源區的所述半導體襯底。
3.如權利要求1所述的冗余結構的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕和濕法刻蝕去除所述介質層。
4.如權利要求2所述的冗余結構的形成方法，其特征在于，去除所述介質層的方法包括：
通過濕法刻蝕去除所述墊氮化硅層，暴露出所述墊氧化硅層；
通過干法刻蝕去除所述墊氧化硅 層和所述硅材料層，暴露出所述氧化層；
通過干法刻蝕或濕法刻蝕去除所述氧化層。
5.如權利要求1所述的冗余結構的形成方法，其特征在于，通過沉積或者濺射的方法形成所述介電常數膜層。
6.如權利要求5所述的冗余結構的形成方法，其特征在于，所述介電常數膜層為高介電常數膜層。
7.如權利要求6所述的冗余結構的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕去除部分所述多晶硅層和部分所述介電常數膜層。
8.如權利要求1所述的冗余結構的形成方法，其特征在于，所述隔離層的材質為氧化硅。
9.一種冗余結構，其特征在于，所述冗余結構包括：
半導體襯底，所述半導體襯底包括有源區和隔離區；
所述有源區的所述半導體襯底上形成有柵氧化層；所述隔離區的所述半導體襯底上形成有隔離層；
所述柵氧化層以及部分所述隔離層上形成有介電常數膜層；
所述介電常數膜層上形成有多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋所述介電常數膜層。
10.如權利要求9所述的冗余結構，其特征在于，所述介電常數膜層的材料選自于HfO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZO、Al2O3、La2O3、ZrO2和LaAlO中的任一種或多種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
