[發明專利]增強型高電子遷移率晶體管器件有效
| 申請號： | 201911334570.3 | 申請日： | 2019-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN112397583B | 公開（公告）日： | 2023-07-28 |
| 發明（設計）人： | 陳智偉;溫文瑩 | 申請（專利權）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 孫乳筍;周永君 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 增強 電子 遷移率 晶體管 器件 | ||
1.一種增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，包括：
溝道層，設置于基板上；
阻擋層，設置于所述溝道層上，其中所述溝道層及所述阻擋層的介面具有主要溝道；
P型氮化鎵層，設置于所述阻擋層上；
保護層，設置于所述P型氮化鎵層上，其中所述P型氮化鎵層及所述保護層的介面具有次要溝道；
柵極，設置于所述保護層中，所述柵極的上表面從所述保護層的上表面凸出；以及
源極與漏極，分別位于所述柵極的兩側，且設置于所述溝道層、所述阻擋層、所述P型氮化鎵層及所述保護層中，所述源極與所述漏極的上表面從所述保護層的上表面凸出。
2.如權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，更包括介電層，設置于所述柵極與所述保護層之間。
3.如權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述柵極下方的所述保護層的厚度為1nm至10nm。
4.如權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述P型氮化鎵層的厚度為至少40nm。
5.如權利要求4所述的增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述P型氮化鎵層的厚度為40nm至80nm。
6.如權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述保護層的材料包括氮化鋁鎵AlGaN或氮化鋁銦鎵InAlGaN。
7.如權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，中所述保護層的材料包括AlXGa1-XN，且X為0.05至0.3。
8.如權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述P型氮化鎵層的摻質為鎂。
9.如權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述溝道層的材料包括氮化鎵GaN。
10.如權利要求1所述的增強型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述阻擋層的材料包括氮化鋁鎵AlGaN。
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