[發(fā)明專利]增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911334570.3
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN112397583B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳智偉;溫文瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 孫乳筍;周永君

1.一種增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，包括：

溝道層，設(shè)置于基板上；

阻擋層，設(shè)置于所述溝道層上，其中所述溝道層及所述阻擋層的介面具有主要溝道；

P型氮化鎵層，設(shè)置于所述阻擋層上；

保護(hù)層，設(shè)置于所述P型氮化鎵層上，其中所述P型氮化鎵層及所述保護(hù)層的介面具有次要溝道；

柵極，設(shè)置于所述保護(hù)層中，所述柵極的上表面從所述保護(hù)層的上表面凸出；以及

源極與漏極，分別位于所述柵極的兩側(cè)，且設(shè)置于所述溝道層、所述阻擋層、所述P型氮化鎵層及所述保護(hù)層中，所述源極與所述漏極的上表面從所述保護(hù)層的上表面凸出。

2.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，更包括介電層，設(shè)置于所述柵極與所述保護(hù)層之間。

3.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述柵極下方的所述保護(hù)層的厚度為1nm至10nm。

4.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述P型氮化鎵層的厚度為至少40nm。

5.如權(quán)利要求4所述的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述P型氮化鎵層的厚度為40nm至80nm。

6.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述保護(hù)層的材料包括氮化鋁鎵AlGaN或氮化鋁銦鎵InAlGaN。

7.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，中所述保護(hù)層的材料包括Al_XGa_1-XN，且X為0.05至0.3。

8.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述P型氮化鎵層的摻質(zhì)為鎂。

9.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述溝道層的材料包括氮化鎵GaN。

10.如權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管器件，其特征在于，所述阻擋層的材料包括氮化鋁鎵AlGaN。