[發明專利]半導體器件的形成方法有效
| 申請號： | 201911334529.6 | 申請日： | 2019-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN110993559B | 公開（公告）日： | 2023-08-18 |
| 發明（設計）人： | 李妍;辻直樹;汪韜 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 形成 方法 | ||
1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，所述半導體器件的形成方法包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底包括依次堆疊的基底、第一介質層和第二介質層，所述基底、所述第一介質層和所述第二介質層中形成有淺溝槽隔離結構，所述基底包括分別位于所述淺溝槽隔離結構兩側的核心區和高壓區；
形成保護層，所述保護層僅覆蓋所述核心區的所述第二介質層；
在所述保護層的保護下，去除所述高壓區的所述第二介質層和部分厚度的所述第一介質層，并且所述高壓區剩余的所述第一介質層的厚度小于所述第二介質層的厚度；
在同一刻蝕步驟中同時去除所述高壓區剩余的所述第一介質層、所述保護層以及所述核心區的所述第二介質層，暴露出所述高壓區的所述基底以及所述核心區的所述第一介質層；
在暴露出的所述基底和所述第一介質層上形成柵氧層。
2.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層包括氧化層和位于所述氧化層上的硅材料層。
3.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，去除所述高壓區的部分所述第一介質層包括：去除所述高壓區的所述硅材料層以及部分所述氧化層。
4.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二介質層的厚度小于或者等于所述氧化層的厚度。
5.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述高壓區剩余的所述第一介質層的厚度為1nm-20nm。
6.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二介質層為氧化硅層。
7.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕去除所述高壓區的所述第二介質層和部分厚度的所述第一介質層。
8.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，通過濕法刻蝕去除所述高壓區剩余的所述第一介質層、所述保護層以及所述核心區的所述第二介質層。
9.如權利要求8所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所采用的溶液為酸性溶液。
10.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述保護層為光刻膠層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
