[發明專利]一種用于CO2 有效
| 申請號： | 201911333437.6 | 申請日： | 2019-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN111054419B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發明（設計）人： | 羅瀟;陳明;梁志武 | 申請（專利權）人： | 湖南大學 |
| 主分類號： | B01J27/24 | 分類號： | B01J27/24;B01J35/00;B01J35/08;B01J35/10;C01B32/40 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 410082 湖南省*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 co base sub | ||
1.一種用于CO2還原的半導體/g-C3N4光催化劑，其特征在于：
該半導體/g-C3N4光催化劑是由空心球狀的前驅物煅燒而得，
所述光催化劑制備方法其特征在于，包括如下步驟：
(1)納米半導體粉末的制備：用金屬有機溶劑或者可溶性金屬鹽，通過水熱法或共沉淀法制備得到納米粒徑的半導體固體顆粒，充分研磨后得到納米半導體粉末，
(2)氨基改性半導體的制備：將納米半導體粉末分散于含有醇胺或者氨基甲氧基硅烷的無水乙醇溶液中，在加熱回流條件下充分反應，后進行過濾及干燥處理，得到氨基改性半導體粉末，
(3)光催化劑前驅物的制備：將氨基改性的半導體分散于三聚氰酸/二甲亞砜混合溶液，強攪拌后使得三聚氰酸絡合在半導體表面，隨后逐滴加入三聚氰胺/二甲亞砜混合溶液，并保持強攪拌，反應后，進行離心、過濾及干燥，制備得到空心球狀的光催化劑前驅物，光催化劑前驅物的粒徑通過步驟(2)中氨基改性試劑的選擇進行調控，其結構為納米粒子鑲嵌空心球殼內，
(4)半導體/g-C3N4光催化劑制備：將光催化劑前驅物放于管式爐N2氣氛下進行煅燒，即得到粉末狀的半導體/g-C3N4光催化劑。
2.如權利要求1中所述的半導體/g-C3N4光催化劑，其特征在于，所述半導體為TiO2，Cu2O，ZnO，ZnS具有光催化活性的半導體材料其中的一種單一物或多種的混合物。
3.如權利要求1所述的光催化劑，其特征在于，制備方法的步驟(1)中的納米粒子粒徑為5nm-30nm。
4.如權利要求1所述的光催化劑，其特征在于，制備方法的步驟(2)中用于氨基改性的試劑為乙醇胺、二乙醇胺，以及氨丙基三甲氧基硅烷、N-(氨乙基)-氨丙基三甲氧基硅烷。
5.如權利要求1所述的光催化劑，其特征在于，步驟(2)中的納米半導體粉末在乙醇中的濃度為2.5-7.5g/L，納米半導體粉末與氨基改性試劑的濃度比為1:1-1:4，加熱回流時間為2-4小時，反應溫度為60-90℃。
6.如權利要求1所述的光催化劑，其特征在于，步驟(3)中的三聚氰酸/二甲亞砜的濃度為25g/L，氨基改性半導體的濃度范圍為0.75-1.5g/L，三聚氰胺/二甲亞砜的濃度為25g/L。
7.如權利要求1所述的光催化劑，其特征在于，步驟(3)中的強攪拌條件表示時間強度為2-6小時，攪拌速度為1500-2500轉/min。
8.如權利要求1所述的光催化劑，其特征在于，步驟(3)中的空心球狀的光催化劑前驅物的球徑范圍為1-4μm。
9.如權利要求1所述的光催化劑，其特征在于，步驟(4)中的N2氣氛的流速為10-40mL/min，煅燒溫度為300-450℃，煅燒的升溫速率為1.5-2.5℃/min。
10.如權利要求1所述的光催化劑，應用于CO2-CH4的光催化反應。
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