[發明專利]一種場推進裝置在審
| 申請號: | 201911332230.7 | 申請日: | 2019-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN110821771A | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | 謝功高 | 申請(專利權)人: | 謝功高 |
| 主分類號: | F03H1/00 | 分類號: | F03H1/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 423000 湖南省郴州市北湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 推進 裝置 | ||
1.一種場推進裝置,其特征在于,包括:第一可變場產生裝置(1),所述第一可變場產生裝置(1)一側至少設有一個第二可變場產生裝置(2);所述第二可變場產生裝置(2)與所述第一可變場產生裝置(1)可產生力的相互作用;
所述可變場變化應滿足以下要求:
所述第一可變場產生裝置(1)與所述第二可變場產生裝置(2)相吸引時使所述第一可變場(3)減弱和/或使所述第二可變場(4)增強,所述第一可變場產生裝置(1)與所述第二可變場產生裝置(2)相排斥時使所述第一可變場(3)增強和/或使所述第二可變場(4)減弱;
或者所述第一可變場產生裝置(1)與所述第二可變場產生裝置(2)相吸引時使所述第一可變場(3)增強和/或使所述第二可變場(4)減弱,所述第一可變場產生裝置(1)與所述第二可變場產生裝置(2)相排斥時使所述第一可變場(3)減弱和/或使所述第二可變場(4)增強。
2.根據權利要求1所述的場推進裝置,其特征在于,所述第一可變場產生裝置(1)與所述第二可變場產生裝置(2)正對固定于基座(5)上。
3.根據權利要求1或2所述的場推進裝置,其特征在于,
所述可變場為磁場,所述第一可變場產生裝置(1)包括第一線圈(11),所述第二可變場產生裝置(2)包括第二線圈(12),所述第一線圈(11)與所述第二線圈(12)所通電流頻率相同,相位相差90度;
或者所述可變場為電場,所述第一可變場產生裝置(1)包括第一平行板電容(11),所述第二可變場產生裝置(2)包括第二平行板電容(12),所述第一平行板電容(11)與所述第二平行板電容(12)所通電流頻率相同,相位相差90度。
4.根據權利要求2所述的場推進裝置,其特征在于,所述可變場為磁場,所述第一可變場產生裝置(1)包括第一線圈(11),所述第一線圈(11)通過電子開關(810)與直流電源串聯;所述第二可變場產生裝置(2)包括第二線圈(12),所述第二線圈(12)通過電子開關(811)與直流電源串聯;
控制電路(89)根據信號采集單元(80)采集的信號控制所述電子開關(810)和電子開關(811)以使所述可變場變化滿足權利要求1所述要求。
5.根據權利要求4所述的場推進裝置,其特征在于,所述第一線圈(11)并聯有第一電容(87),所述第二線圈(12)并聯有第二電容(88);所述第一線圈(11)和所述第一電容(87)組成振蕩電路的固有頻率和所述第二線圈(12)和所述第二電容(88)組成振蕩電路的固有頻率相等。
6.根據權利要求4或5所述的場推進裝置,其特征在于,所述信號采集單元(80)包括電流傳感器(85)和/或霍爾傳感器(83);所述電子開關(810)和電子開關(811)包括真空三級管或晶體三極管;所述控制電路(89)包括:信號前置處理電路,單片機或邏輯電路,驅動電路。
7.根據權利要求6所述的場推進裝置,其特征在于,所述晶體三極管包括絕緣柵雙極型晶體管。
8.根據權利要求4或5所述的場推進裝置,其特征在于,所述場推進裝置還有手動微調單元。
9.根據權利要求4或5所述的場推進裝置,其特征在于,所述信號采集單元(80)還可以采集所述第一線圈(11)和所述第二線圈(12)電流的頻率、相位、大小、方向。
10.根據權利要求4或5所述的場推進裝置,其特征在于,所述線圈包括:線盤或螺線管或超導線圈;所述線圈或線盤或螺線管或超導線圈還嵌有高頻磁芯(142)。
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