[發明專利]一種基于電磁理論計算m值的改進三孔隙度模型及方法有效
| 申請號: | 201911330688.9 | 申請日: | 2019-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN110968963B | 公開(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發明(設計)人: | 司馬立強;田杰;王亮;劉紅岐;張磊;孫楊沙;謝冰 | 申請(專利權)人: | 西南石油大學 |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人: | 鄒仕娟 |
| 地址: | 610500 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 電磁 理論 計算 改進 孔隙 模型 方法 | ||
1.一種構建基于電磁理論計算m值的改進三孔隙度模型的方法,其特征在于,該模型為:
當儲層只發育非連通孔洞時,則該模型為:
當儲層只發育裂縫時,則該模型為:
式(19)、(20)和(21)中,m為三孔體系的儲層膠結指數,為三孔體系中非連通孔洞的孔隙度,為三孔體系中裂縫的孔隙度,mb為基質的膠結指數,為三孔體系的總孔隙度,為基質的孔隙度。
2.一種構建改進三孔隙度模型的方法,其特征在于,所述方法包含:
(S1)將基質與溶洞視為整體,采用Maxwell-Garnett球形模型,計算基質與溶洞雙孔體系的介電常數,并通過該介電常數構建溶洞、基質雙孔體系的電阻率模型,為:
式(13)中,Rbv為溶洞、基質雙孔體系的電阻率;為三孔體系中非連通孔洞的孔隙度;為三孔體系中裂縫的孔隙度;
(S2)將溶洞、基質雙孔體系的電阻率Rbv與裂縫電阻率Rf并聯,并加入Archie公式,構建改進的三孔隙度模型;
其中,通過并聯,三孔體系的總電阻率Rbvf為:
將式(13)帶入式(14)中,得到:
所述改進的三孔隙度模型為:
式(19)中,m為三孔體系的儲層膠結指數;mb為基質的膠結指數;為三孔體系的總孔隙度;為基質的孔隙度。
3.根據權利要求2所述的構建改進三孔隙度模型的方法,其特征在于,在步驟(S2)中,加入Archie公式,有:
式(16)中,Fb為基質的地層因素;式(17)中,Fbvf為三孔體系的總地層因素;
將式(16)、(17)帶入式(15)中,并將三孔體系的孔隙度轉換到基質體系,為:
通過式(18),得到所述改進的三孔隙度模型。
4.根據權利要求2所述的構建改進三孔隙度模型的方法,其特征在于,所述三孔體系的基質孔隙度轉換到基質體系或雙孔體系時,有:
5.根據權利要求2所述的構建改進三孔隙度模型的方法,其特征在于,在步驟(S1)中,所述Maxwell-Garnett球形模型的表達式為:
式(5)中,εe為基質的介電常數,εi為溶孔內的介電常數,εeff為基質、溶孔雙孔體系的介電常數,f為溶孔的孔隙度。
6.根據權利要求5所述的構建改進三孔隙度模型的方法,其特征在于,所述基質、溶孔雙孔體系的介電常數εeff為復數,還表示為:
式(11)中,εeff′為基質、溶孔雙孔體系的介電常數虛部,j為虛數,ω表示角頻率,ε0表示真空中的介電常數;
ω不斷向0趨近,則虛部將會變得無窮大,占等效介電常數的主體,則式(11)等效為:
在ω趨近于0時,還能得到:
將ω趨近于0時得到的各式帶入式(11),得到:
7.根據權利要求6所述的構建改進三孔隙度模型的方法,其特征在于,在地下埋藏情況下,地層內充填地層水,電導率與電阻率互為倒數,則溶蝕孔洞與基質兩相體系的等效電導率σef、基質的電導率σe、溶蝕孔洞的電導率σi分別為:
根據Aguilera三孔隙度模型,將三孔體系的溶蝕孔洞的孔隙度轉化到基質與溶蝕孔洞雙相體系內,溶蝕孔洞的體積分數f為:
通過將上述各式代入式(12),獲得溶洞、基質雙孔體系的電阻率模型。
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