[發(fā)明專利]碳化硅半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911330163.5
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN113013245A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田意;徐大偉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/45;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種碳化硅半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述碳化硅半導(dǎo)體器件包括：

N型襯底；

N型漂移層，位于所述N型襯底上；

P型阱區(qū)，位于所述N型漂移層中；

N型源區(qū)，位于所述P型阱區(qū)內(nèi)；

柵介質(zhì)層，至少橫跨于所述N型源區(qū)及所述N型漂移層之間；

柵極層，位于所述柵介質(zhì)層上；

隔離介質(zhì)層，包覆于所述柵極層；

源極金屬層，與所述N型源區(qū)接觸，并延伸覆蓋于所述隔離介質(zhì)層上，位于所述隔離介質(zhì)層上的所述源極金屬層具有貫穿所述源極金屬層的通孔陣列，以減少所述源極金屬層與所述柵極層的重疊面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述隔離介質(zhì)層的厚度介于500納米～1500納米之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述通孔陣列包括矩形孔陣列及圓形孔陣列中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述源極金屬層的厚度介于5微米～10微米之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述源極金屬層包括依次層疊的第一Ti層、Al層、第二Ti層、Ni層及Ag層，其中，所述第一Ti層的厚度介于100～300納米，所述Al層的厚度介于3微米～6微米，所述第二Ti層的厚度介于100納米～300納米，所述Ni層的厚度介于1微米～3微米，所述Ag層的厚度介于300納米～1000納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述柵介質(zhì)層的材料包括二氧化硅，其厚度介于40納米～100納米之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體器件，其特征在于：還包括一P型接觸區(qū)，所述P型接觸區(qū)與所述N型源區(qū)相連，所述源極金屬層與所述P型接觸區(qū)及所述N型源區(qū)接觸。