[發明專利]一種可控硅調光器檢測裝置、電路及其檢測方法

在審

• 申請號: 201911330119.4
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN111090016A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 葉羽安;王文攀;麥炎全
• 申請（專利權）人: 深圳市晟碟半導體有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01R19/165
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;宗繼穎

1.一種可控硅調光器檢測電路，其特征在于，包括整流橋、泄放模塊、檢測模塊和負載；所述整流橋用于將輸入的交流電整流后輸出線電壓至所述泄放模塊和所述負載；所述泄放模塊用于根據所述線電壓輸出采樣信號至所述檢測模塊，并在線網中設置有可控硅調光器時為所述可控硅調光器提供泄放電流；所述檢測模塊用于根據所述采樣信號與預設信號確定所述線網設置有可控硅調光器時，控制所述泄放模塊持續導通，當確定所述線網未設置所述可控硅調光器時，控制所述泄放模塊關斷；所述采樣信號的電壓在所述線電壓大于所述泄放模塊的啟動電壓時恒定，在所述線電壓小于所述泄放模塊的啟動電壓時隨所述線電壓減小。

2.根據權利要求1所述的可控硅調光器檢測電路，其特征在于，所述檢測模塊包括比較器、計時器和判斷單元；所述比較器用于將所述采樣信號與參考信號進行比較后輸出比較信號至所述計時器，所述計時器用于對所述比較信號進行計時后輸出計時信號至所述判斷單元；所述判斷單元用于判斷出所述計時信號大于所述預設信號時，則確定所述線網未設置可控硅調光器，控制所述泄放模塊關斷，當判斷出所述計時信號小于所述預設信號時，則確定所述線網設置有可控硅調光器，控制所述泄放模塊持續導通。

3.根據權利要求1所述的可控硅調光器檢測電路，其特征在于，所述檢測模塊包括比較器、計時器、判斷單元和濾波單元；所述比較器用于將所述采樣信號與參考信號進行比較后輸出比較信號至所述判斷單元；所述濾波單元用于對所述比較信號進行濾波處理；所述判斷單元在所述計時器的預設計時時間內，當判斷出所述比較信號大于所述預設信號時，則確定所述線網未設置可控硅調光器，控制所述泄放模塊關斷，當判斷出所述比較信號小于所述預設信號時，則確定所述線網設置有可控硅調光器，控制所述泄放模塊持續導通。

4.根據權利要求1所述的可控硅調光器檢測電路，其特征在于，所述檢測模塊包括計時器和判斷單元；所述計時器用于對所述采樣信號進行計時后輸出計時信號至所述判斷單元；所述判斷單元用于判斷出所述計時信號大于所述預設信號時，則確定所述線網未設置可控硅調光器，控制所述泄放模塊關斷；當判斷出所述計時信號小于所述預設信號時，則確定所述線網設置有可控硅調光器，控制所述泄放模塊持續導通。

5.根據權利要求1所述的可控硅調光器檢測電路，其特征在于，所述泄放模塊包括第一運算放大器、第一MOS管、第一電阻和第一參考電壓源；所述第一運算放大器的輸出端連接所述第一MOS管的柵極，所述第一MOS管的源極連接所述第一電阻的一端、所述第一運算放大器的反相輸入端和所述檢測模塊，所述第一運算放大器的正相輸入端連接所述第一參考電壓源的正極，所述第一電阻的另一端和所述第一參考電壓源接地，所述第一MOS管的漏極連接所述整流橋。

6.根據權利要求1所述的可控硅調光器檢測電路，其特征在于，所述負載包括LED燈串、第二MOS管、第二電阻、第二運算放大器和第二參考電壓源；所述LED燈串的輸入端連接所述整流橋，所述LED燈串的輸出端連接所述第二MOS管的漏極，所述第二MOS管的源極連接所述第二運算放大器的反相輸入端和所述第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端和所述第二參考電壓源的負極均接地；所述第二運算放大器的正相輸入端連接所述第二參考電壓源的正極。

7.根據權利要求1所述的可控硅調光器檢測電路，其特征在于，所述負載包括LED燈串、第一二極管、第一電容、第二電容、第二二極管、第三電阻、電感和恒流驅動芯片；所述LED燈串的輸入端、所述第二電容的一端、所述第二二極管的負極和所述第一電容的一端均連接所述第一二極管的負極，所述第一二極管的正極連接所述整流橋；所述第二二極管的正極和所述電感的一端連接所述恒流驅動芯片的第1腳，所述電感的另一端連接所述第二電容的另一端和所述LED燈串的負極；所述第一電容的另一端和所述第三電阻的一端均接地，所述第三電阻的另一端連接所述恒流驅動芯片的第2腳。

8.根據權利要求3所述的可控硅調光器檢測電路，其特征在于，所述濾波單元包括第三電容，所述第三電容的一端連接所述比較器和所述判斷單元，所述第三電容的另一端接地。