[發(fā)明專利]一種化學(xué)機(jī)械拋光液

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911329440.0
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN113004802A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郁夏盈;王晨;何華鋒;李星;史經(jīng)深
• 申請（專利權(quán)）人: 安集微電子（上海）有限公司
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;C23F3/06
• 代理公司: 北京大成律師事務(wù)所 11352
• 代理人: 李佳銘;王芳

1.一種化學(xué)機(jī)械拋光液，包括：研磨顆粒、催化劑、穩(wěn)定劑、同時含有胺基糖和環(huán)醇結(jié)構(gòu)的腐蝕抑制劑、氧化劑、水和pH調(diào)節(jié)劑。

2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，其中，所述腐蝕抑制劑由一個至五個氨基糖分子和若干非糖部分的環(huán)醇或者氨基環(huán)醇通過醚鍵連接而成。

3.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述腐蝕抑制劑是氨基苷類抗生素。

4.如權(quán)利要求3所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述腐蝕抑制劑選自鏈霉素、卡那霉素、妥布霉素、新霉素、大觀霉素、慶大霉素、西索米星、小諾米星、阿米卡星、奈替米星或其硫酸、硝酸、鹽酸鹽中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求4所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述鏈霉素為硫酸鏈霉素，所述硫酸鏈霉素的結(jié)構(gòu)如下：

6.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述腐蝕抑制劑的濃度范圍為0.005％～0.1％。

7.如權(quán)利要求6所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述腐蝕抑制劑的濃度范圍為0.005％～0.04％。

8.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述研磨顆粒為SiO₂。

9.如權(quán)利要求8所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述研磨顆粒的濃度范圍為0.5％～3％。

10.如權(quán)利要求9所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述研磨顆粒的濃度范圍為1％～3％。

11.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述催化劑為金屬陽離子催化劑。

12.如權(quán)利要求11所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述金屬陽離子催化劑為九水硝酸鐵。

13.如權(quán)利要求12所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述硝酸鐵的濃度范圍為0.01％～0.1％。

14.如權(quán)利要求13所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述硝酸鐵的濃度范圍為0.01％～0.03％。

15.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述穩(wěn)定劑為有機(jī)穩(wěn)定劑。

16.如權(quán)利要求15所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述有機(jī)穩(wěn)定劑為可以和鐵絡(luò)合的羧酸。

17.如權(quán)利要求16所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述可以和鐵絡(luò)合的羧酸選自鄰苯二甲酸、草酸、丙二酸、丁二酸、己二酸、檸檬酸、馬來酸中的一種或多種。

18.如權(quán)利要求17所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述可以和鐵絡(luò)合的羧酸為丙二酸。

19.如權(quán)利要求17所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述丙二酸的濃度范圍為0.01％～0.09％。

20.如權(quán)利要求19所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述丙二酸的濃度范圍為0.01％～0.06％。

21.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述氧化劑是H₂O₂。

22.如權(quán)利要求21所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述氧化劑的濃度是2％。

23.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，所述pH調(diào)節(jié)劑是HNO₃。

24.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光液，pH值為2～4。