[發明專利]渦旋態磁通晶格的連續波射頻場調控電路結構及調控方法在審
| 申請號： | 201911326864.1 | 申請日： | 2019-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN111082780A | 公開（公告）日： | 2020-04-28 |
| 發明（設計）人： | 吳國慶;曹榮幸;曾祥華 | 申請（專利權）人： | 揚州大學 |
| 主分類號： | H03K3/01 | 分類號： | H03K3/01 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 黃啟兵 |
| 地址： | 225000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 渦旋 態磁通 晶格 連續 射頻 調控 電路 結構 方法 | ||
1.一種渦旋態磁通晶格的連續波射頻場調控電路結構，其特征在于，包括：
調控電路輸入端、調控電路輸出端、金屬線圈、附加電感Lm、附件內阻Rm、可控電容C、固定電阻R，所述金屬線圈等效為線圈電感Ls和線圈電阻Rs，
其中所述調控電路輸入端的一端與所述線圈電感Ls、所述線圈電阻Rs串聯，另一端與所述可控電容C串聯連接，所述可調電容C用于調節電路諧振頻率，所述線圈電阻Rs以及所述可控電容C各自連接在調控電路輸出端的兩端；
所述附加電感Lm和附件內阻Rm串聯連接，串聯連接之后與電路同軸傳輸線的固定電阻R并聯連接并與所述固定電阻R的阻抗匹配；其中附加電感Lm和附件內阻Rm用于調節振蕩電路阻抗；
所述調控電路輸入端通過外部寬帶天線耦合連接在光譜儀的傳輸端，實現對裝有超導材料的線圈施加連續波射頻場，通過調節射頻信號的功率、持續時間的參數及射頻次數來調控高溫超導材料中磁通晶格的運動，所述磁通晶格的運動引起線圈電感Ls的變化，而振蕩電路的輸入、輸出信號相位差正比于線圈電感Ls的變化；
所述調控電路輸出端的兩端分別與所述固定電阻R的兩端連接，并將接在光譜儀的接收端，通過光譜儀測量到的輸入信號與輸出信號的相位差來觀測磁通晶格運動的調控效果。
2.根據權利要求1所述的連續波射頻場調控電路結構，其特征在于，所述的可控電容的取值范圍為10～45pF。
3.根據權利要求1所述的連續波射頻場調控電路結構，其特征在于，調控電路輸出端的所述固定電阻R的電阻值為50Ω，滿足外接電子設備的對接需要。
4.一種渦旋態磁通晶格的連續波射頻場調控方法，根據權利要求1-3任一項所述的連續波射頻場調控電路結構實現的，其特征在于，包括如下步驟：
S1：將待測高溫超導材料樣品放置在金屬線繞制的金屬線圈中，所述金屬線圈接在調控電路中；
S2：調節振蕩電路阻抗，使之與電路同軸傳輸線的固定電阻R的特征阻抗匹配，調節可控電容用于調節電路共振頻率；
S3：調控電路輸入端可通過外部寬帶天線耦合連接在光譜儀的傳輸端，實現對裝有超導材料的線圈施加連續波射頻場；
S4：通過調節射頻信號的功率、持續時間以及射頻次數的參數來調控高溫超導材料中磁通晶格的運動，所述磁通晶格的運動引起線圈電感Ls的變化，而振蕩電路的輸入、輸出信號相位差正比于線圈電感Ls的變化；
S5：通過光譜儀測量到的輸入信號與輸出信號的相位差和強度來觀測磁通晶格運動的調控效果。
5.根據權利要求4所述的連續波射頻場調控方法，其特征在于，所述射頻信號的射頻范圍為5-1000MHz。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于揚州大學，未經揚州大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911326864.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
