[發(fā)明專利]PbSe光敏薄膜紅外光電探測(cè)芯片及其制備方法、紅外光電探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911326527.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN113013283B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁玎;何峰;張浩;王棟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L21/02;H01L21/477;H01L31/032;H01L31/09
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008
• 代理人: 何文紅

1.一種PbSe光敏薄膜紅外光電探測(cè)芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在芯片襯底上制備緩沖層；

S2、采用離子束濺射工藝在步驟S1中制得的緩沖層上制備PbSe薄膜；所述PbSe薄膜的制備過(guò)程中離子束濺射工藝的參數(shù)為：濺射電壓為200V～400V，濺射電流為25A～40A；所述PbSe薄膜的成膜速率為2nm/min～4nm/min；所述PbSe薄膜的制備過(guò)程中還包括對(duì)PbSe薄膜進(jìn)行摻雜處理；所述摻雜處理過(guò)程中摻雜的元素為Cd；

S3、對(duì)步驟S2中制得的PbSe薄膜進(jìn)行敏化處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括以下步驟：在緩沖層上制備電極，得到PbSe光敏薄膜紅外光電探測(cè)芯片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述電極為金電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述芯片襯底為玻璃或硅片；所述緩沖層為CaF₂、BaF₂、Si₃N₄中的至少一種；所述緩沖層的厚度為5nm～20nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述PbSe薄膜的厚度為100nm～2μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述敏化處理為先在氧氣氣氛下于150℃～400℃下熱處理10min～30min，然后在I₂蒸汽氣氛下于150℃～400℃下熱處理2min～6min。

7.一種PbSe光敏薄膜紅外光電探測(cè)芯片，其特征在于，所述PbSe光敏薄膜紅外光電探測(cè)芯片由權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到；所述PbSe光敏薄膜紅外探測(cè)芯片包括芯片襯底；所述芯片襯底上設(shè)有緩沖層；所述緩沖層上設(shè)有PbSe薄膜和電極。

8.一種紅外光電探測(cè)器，其特征在于，所述紅外光電探測(cè)器包括測(cè)量探測(cè)器和參考探測(cè)器；所述測(cè)量探測(cè)器和參考探測(cè)器中均包括權(quán)利要求7所述的PbSe光敏薄膜紅外光電探測(cè)芯片；所述外光電探測(cè)器的感應(yīng)面前端設(shè)有濾光片。