[發(fā)明專利]基于干式顯影和金屬摻雜Sb2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911325058.2
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN110989301B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏濤;魏勁松;劉波
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州科技大學(xué);中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所
• 主分類號: G03F7/26
• 分類號: G03F7/26;G03F7/42
• 代理公司: 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257
• 代理人: 蘇張林

1.一種基于干式顯影和金屬摻雜Sb₂Te光刻膠的光刻方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）通過薄膜沉積系統(tǒng)在基片上沉積金屬摻雜Sb₂Te光刻膠薄膜；

（2）利用曝光系統(tǒng)對所述光刻膠薄膜進行曝光，使得曝光區(qū)域發(fā)生晶化；

（3）通過反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)進行干法顯影，得到最終的微納結(jié)構(gòu)；

其中，所述金屬摻雜Sb₂Te光刻膠中，摻雜金屬元素選自Cr、Ag、Ti、Al、Fe中的一種。

2.如權(quán)利要求1所述的基于干式顯影和金屬摻雜Sb₂Te光刻膠的光刻方法，其特征在于，所述薄膜沉積系統(tǒng)為磁控濺射鍍膜機。

3.如權(quán)利要求1所述的基于干式顯影和金屬摻雜Sb₂Te光刻膠的光刻方法，其特征在于，所述金屬摻雜Sb₂Te光刻膠薄膜的厚度為20?nm?~?500?nm。

4.如權(quán)利要求1所述的基于干式顯影和金屬摻雜Sb₂Te光刻膠的光刻方法，其特征在于，所述金屬的摻雜含量為1~20?at%。

5.如權(quán)利要求1所述的基于干式顯影和金屬摻雜Sb₂Te光刻膠的光刻方法，其特征在于，摻雜金屬靶材通過直流濺射且功率為1~100?W，Sb₂Te靶材采用射頻濺射且功率為1~150?W，濺射氣壓為0.1~4?Pa，樣品盤轉(zhuǎn)速為1~10?r/min，濺射時間為10?s~30?min。

6.如權(quán)利要求1所述的基于干式顯影和金屬摻雜Sb₂Te光刻膠的光刻方法，其特征在于，所述曝光系統(tǒng)為激光直寫光刻裝置、電子束直寫裝置或極紫外光刻系統(tǒng)，曝光能量為10^2?~10⁸?mJ/cm²。

7.如權(quán)利要求1所述的基于干式顯影和金屬摻雜Sb₂Te光刻膠的光刻方法，其特征在于，所述基片包括石英玻璃、硅片、SiC和GaN。

8.如權(quán)利要求1所述的基于干式顯影和金屬摻雜Sb₂Te光刻膠的光刻方法，其特征在于，所述反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)采用的顯影氣體為CF₄、CHF₃、SF₆、O₂、Ar或其中兩種或三種的組合，各氣體流量均為1~100?sccm，工作氣壓為1~200?mTorr，功率為1~200?W，顯影時間為1~30min。