[發明專利]等離子體處理裝置在審
| 申請號： | 201911324897.2 | 申請日： | 2018-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN111048394A | 公開（公告）日： | 2020-04-21 |
| 發明（設計）人： | 上田雄大 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;何中文 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：
等離子體處理容器；
設置在所述等離子體處理容器內，包括至少1個加熱器的基片載置臺；
設置在所述等離子體處理容器內、并設置在所述基片載置臺的周圍的聚焦環載置臺；
設置在所述基片載置臺與所述聚焦環載置臺之間的絕緣部；
可與外部電源連接的至少1個供電端子；和
設置在所述絕緣部內，分別連接所述至少1個加熱器與所述至少1個供電端子的至少1個配線。
2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述基片載置臺包括包含絕緣體的靜電卡盤，所述至少1個加熱器設置在所述絕緣體內。
3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述基片載置臺包括具有制冷劑流路的基座和絕緣層，所述靜電卡盤通過所述絕緣層與所述基座相接。
4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述基座具有第1熱傳導率，所述絕緣部具有第2熱傳導率，所述第2熱傳導率比所述第1熱傳導率低。
5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述絕緣部由陶瓷材料形成。
6.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述靜電卡盤具有多個區域，
所述至少1個加熱器包括設置在所述多個區域的各個區域的多個加熱器，
所述至少1個供電端子包括與所述多個加熱器分別連接的多個供電端子。
7.如權利要求1～6中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述絕緣部沿所述基片載置臺的外周面設置，在所述絕緣部與所述基片載置臺的所述外周面之間形成了間隙。
8.如權利要求1～6中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述絕緣部是沿所述基片載置臺的外周面形成的噴鍍膜。
9.一種裝置，其特征在于，包括：
包括至少1個加熱器的基片載置臺；
設置在所述基片載置臺的周圍的聚焦環載置臺；
設置在所述基片載置臺與所述聚焦環載置臺之間的絕緣部；
可與外部電源連接的至少1個供電端子；和
設置在所述絕緣部內，分別連接所述至少1個加熱器與所述至少1個供電端子的至少1個配線。
10.如權利要求9所述的裝置，其特征在于：
所述基片載置臺包括包含絕緣體的靜電卡盤，所述至少1個加熱器設置在所述絕緣體內。
11.如權利要求10所述的裝置，其特征在于：
所述基片載置臺包括具有制冷劑流路的基座和絕緣層，所述靜電卡盤通過所述絕緣層與所述基座相接。
12.如權利要求11所述的裝置，其特征在于：
所述基座具有第1熱傳導率，所述絕緣部具有第2熱傳導率，所述第2熱傳導率比所述第1熱傳導率低。
13.如權利要求12所述的裝置，其特征在于：
所述絕緣部由陶瓷材料形成。
14.如權利要求10所述的裝置，其特征在于：
所述靜電卡盤具有多個區域，
所述至少1個加熱器包括設置在所述多個區域的各個區域的多個加熱器，
所述所述至少1個供電端子包括與所述多個加熱器分別連接的多個供電端子。
15.如權利要求9～14中任一項所述的裝置，其特征在于：
所述絕緣部沿所述基片載置臺的外周面設置，在所述絕緣部與所述基片載置臺的所述外周面之間形成了間隙。
16.如權利要求9～14中任一項所述的裝置，其特征在于：
所述絕緣部是沿所述基片載置臺的外周面形成的噴鍍膜。
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