[發(fā)明專利]一種硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911323677.8
• 申請(qǐng)日: 2019-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111106531A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王艷;徐鵬霄;王東辰;唐光華;顧曉文;周奉杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
• 主分類號(hào): H01S5/12
• 分類號(hào): H01S5/12
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 孫昱

1.一種硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，對(duì)襯底進(jìn)行表面清潔及熱處理；

步驟2，在襯底上涂覆電子束抗蝕劑，然后進(jìn)行第一次電子束直寫曝光，寫標(biāo)記；

步驟3，蒸發(fā)Ti/Pt合金，金屬剝離；

步驟4，將金屬剝離后的襯底涂覆電子束抗蝕劑，然后進(jìn)行第二次電子束直寫曝光，寫淺刻蝕圖形；

步驟5，進(jìn)行頂層硅ICP淺刻蝕；

步驟6，涂覆電子束抗蝕劑，然后進(jìn)行第三次電子束直寫曝光，寫深刻蝕圖形及波導(dǎo)；

步驟7，頂層硅ICP深刻蝕；

步驟8，進(jìn)行電子束光刻鄰近效應(yīng)校正，得到硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法，其特征在于，步驟1中所述襯底為硅、二氧化硅為主體的SOI襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法，其特征在于，步驟2中所述電子束抗蝕劑為電子束抗蝕劑UV135，使用涂膠機(jī)旋涂，涂覆膠層厚度為400到500nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法，其特征在于，步驟3中蒸發(fā)Ti/Pt合金為帶膠蒸發(fā)厚度為200/600A的Ti/Pt合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法，其特征在于，步驟4中涂覆的電子束抗蝕劑為電子束抗蝕劑ZEP520A，用涂膠機(jī)進(jìn)行旋涂，涂膠之后膠層厚度約400到500nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法，其特征在于，步驟5中頂層硅ICP淺刻蝕深度為60-80nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法，其特征在于，步驟6中電子束抗蝕劑為ZEP520A，涂覆厚度為800到900nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法，其特征在于，步驟7中頂層硅ICP深刻蝕的刻蝕深度為210-230nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基納米級(jí)彎曲切趾光柵的制備方法，其特征在于，步驟8中電子束光刻鄰近效應(yīng)校正為使用掃描電鏡測(cè)量深淺刻蝕圖形的偏移量和實(shí)際制得的光柵深淺刻蝕的寬度，確定偏移量，根據(jù)實(shí)際測(cè)得的偏移量修正版圖后重新進(jìn)行步驟1到步驟7，直到實(shí)際制備的光柵寬度偏移量小于10nm。