[發明專利]一種柔性陣列基板的制備方法及柔性陣列基板

有效

• 申請號: 201911322244.0
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN111128875B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 鄭園
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種柔性陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一陣列基板，所述陣列基板包括一柔性襯底和形成在所述柔性襯底上的一TFT的溝道區、柵極、源/漏極及相應的無機層；

對所述源/漏極兩側的無機層進行蝕刻，形成填充孔；對所述無機層進行刻蝕使用形成所述源/漏極的光罩掩膜板作為掩模，或者直接使用所述源/漏極作為掩膜；

在所述填充孔內以及所述源/漏極上沉積有機材料，形成一平坦化層。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述填充孔暴露出所述柔性襯底以及所述柵極。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的對所述源/漏極兩側的無機層進行蝕刻的步驟進一步包括：

形成所述源/漏極之后，以用來形成所述源/漏極的光罩掩膜板作為掩模，或者直接以所述源/漏極作為掩模，進一步對所述源/漏極兩側的無機層進行蝕刻，以去除所述無機層未被所述源/漏極覆蓋的部分并保留被所述源/漏極覆蓋的部分，從而形成所述填充孔。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述陣列基板進一步采用如下步驟制成：

在所述柔性襯底上通過一第一光罩掩膜板圖案化一有源層，形成所述溝道區；

在所述柔性襯底上形成一柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上通過一第二光罩掩膜板圖案化一柵極層，形成所述柵極；

在所述柵極絕緣層上形成一層間絕緣層，并通過一第三光罩掩膜板對所述層間絕緣層、所述柵極絕緣層進行蝕刻，形成源/漏極接觸孔；

在所述層間絕緣層上通過一第四光罩掩膜板圖案化一源/漏極層，形成所述源/漏極，其中，所述源/漏極通過所述源/漏極接觸孔與所述溝道區相接觸。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述陣列基板進一步采用如下步驟制成：

在所述柔性襯底上通過一第一光罩掩膜板圖案化一有源層，形成所述溝道區；

在所述柔性襯底上形成一第一柵極絕緣層，并在所述第一柵極絕緣層上通過一第二光罩掩膜板圖案化一第一柵極層，形成所述柵極和一電容的一第一極板；

在所述第一柵極絕緣層上形成一第二柵極絕緣層，并在所述第二柵極絕緣層上通過一第三光罩掩膜板圖案化一第二柵極層，形成所述電容的一第二極板；

在所述第二柵極絕緣層上形成一層間絕緣層，并通過一第四光罩掩膜板對所述層間絕緣層、所述第二柵極絕緣層、所述第一柵極絕緣層進行蝕刻，形成源/漏極接觸孔以及第二極板接觸孔；

在所述層間絕緣層上通過一第五光罩掩膜板圖案化一源/漏極層，形成所述TFT的源/漏極以及第二極板連接線，其中，所述源/漏極通過所述源/漏極接觸孔與所述溝道區相接觸，所述第二極板連接線通過所述第二極板接觸孔與所述第二極板相接觸。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法進一步包括如下步驟：

通過一第六光罩掩膜板對所述平坦化層進行蝕刻，形成陽極接觸孔；

在所述平坦化層上通過一第七光罩掩膜板圖案化一陽極層，形成一陽極；

在所述平坦化層上形成一像素定義層，并通過一第八光罩掩膜板對所述像素定義層進行蝕刻，形成暴露所述陽極的開孔；

在所述像素定義層上形成一支撐層，并通過一第九光罩掩膜板對所述支撐層進行蝕刻，形成支撐柱。

7.一種柔性陣列基板，其特征在于，包括：

一柔性襯底；

設置于所述柔性襯底上的一TFT的溝道區、柵極、源/漏極及相應的無機層；

設置于所述源/漏極兩側的填充孔；所述填充孔以用來形成所述源/漏極的光罩掩膜板作為掩模，或者直接使用所述源/漏極作為掩膜刻蝕形成；

設置于所述填充孔內以及所述源/漏極上的一平坦化層，所述平坦化層所采用的材料為有機材料。

8.如權利要求7所述的柔性陣列基板，其特征在于，所述填充孔暴露出所述柔性襯底以及所述柵極。

9.如權利要求7所述的柔性陣列基板，其特征在于，所述無機層僅保留被所述源/漏極覆蓋的部分。