[發明專利]一種充放電MOS保護電路

在審

• 申請號: 201911321965.X
• 申請日: 2019-12-20
• 公開（公告）號: CN111030223A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 禹成海
• 申請（專利權）人: 蘇州妙益科技股份有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;H02H3/08;H02H7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明一種充放電MOS保護電路，包括電池以及保護電路，所述保護電路包括電流取樣電阻RS、放電控制mosQD、充電控制mosQC，還包放電mos保護穩壓管ZD、放電mos保護電容CD、充電mos保護穩壓管ZC、充電mos保護電容CC，其中所述電流取樣電阻RS用于CPU測量電流，所述放電mos保護穩壓管ZD以及充電mos保護穩壓管ZC提供限壓保護，本發明放電mos保護電容CD以及充電mos保護電容CC具有吸收尖峰能力，與放電mos保護穩壓管ZD以及充電mos保護穩壓管ZC配合保護mos管，切斷越快、反壓越高，mos切斷后，利用對電容的充放電，降低電流變化率，進而降低反壓。

技術領域

本發明涉及電池充放電技術領域，尤其涉及一種充放電MOS保護電路。

背景技術

MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管，一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應管。

電池在充放電工程中，如果沒有保護的情況下，大電流時切斷充電mos或者放電mos時，根據電路理論會形成反壓，當反壓超出mos管耐壓時，會損壞mos管。

發明內容

基于上述技術缺陷，本發明提供一種充放電MOS保護電路，放電mos保護電容CD以及充電mos保護電容CC具有吸收尖峰能力，與放電mos保護穩壓管ZD以及充電mos保護穩壓管ZC配合保護mos管。

本發明一種充放電MOS保護電路，包括電池以及保護電路，所述保護電路包括電流取樣電阻RS、放電控制mosQD、充電控制mosQC，還包放電mos保護穩壓管ZD、放電mos保護電容CD、充電mos保護穩壓管ZC、充電mos保護電容CC，其中所述電流取樣電阻RS用于CPU測量電流，所述放電mos保護穩壓管ZD以及充電mos保護穩壓管ZC提供限壓保護。

進一步，所述電流取樣電阻RS與電池1電極連接，所述放電控制mosQD與電流取樣電阻RS連接，所述放電mos保護穩壓管ZD以及放電mos保護電容CD分別與放電控制mosQD連接。

進一步，所述充電控制mosQC與電流取樣電阻RS連接，所述充電mos保護穩壓管ZC以及充電mos保護電容CC分別與所述充電控制mosQC連接。

進一步，所述保護電路的參數為，反應時間L為線路電感，di、dt為電流變化率，所述參數選擇為為VDB<VQB，RC>TB。

進一步，所述VDB為放電mos保護穩壓管ZD、充電mos保護穩壓管ZC的穩壓值，所述VQB為放電控制mosQD、充電控制mosQC的耐壓值，R為電路的等效電阻，C為放電mos保護電容CD、充電mos保護電容CC的容值，TB為放電mos保護穩壓管ZD、充電mos保護穩壓管ZC的反應時間。

本發明一種充放電MOS保護電路，放電mos保護電容CD以及充電mos保護電容CC具有吸收尖峰能力，與放電mos保護穩壓管ZD以及充電mos保護穩壓管ZC配合保護mos管，切斷越快、反壓越高，mos切斷后，利用對電容的充放電，降低電流變化率，進而降低反壓。

附圖說明

圖1為本發明電路圖。

其中：1、電池；2、保護電路。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步說明。