[發明專利]一種5GDDR內存插槽返修風口在審
| 申請號: | 201911321881.6 | 申請日: | 2019-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN111142632A | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發明(設計)人: | 王明 | 申請(專利權)人: | 蘇州歐肯葵電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F1/18 | 分類號: | G06F1/18 |
| 代理公司: | 蘇州創策知識產權代理有限公司 32322 | 代理人: | 董學文 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 gddr 內存 插槽 返修 風口 | ||
本發明公開一種5GDDR內存插槽返修風口,包括:導風本體,導風本體設有進風部以及配合部,配合部橫截面設置成等腰梯形,進風部設有一進風口以及出風口,進風口面積大于所述出風口面積;兩定位筋,兩定位筋垂直于配合部上表面設置;兩夾緊片,兩定位筋均固定連接有一夾緊片,夾緊片厚度為0.2?0.4mm;至少一個定位臺,定位臺固定于兩所述定位筋之間;至少一組導向筋,導向筋固定于所述配合部內。夾緊片厚度為0.2?0.4mm,便于返修風口與內存條進行配合,減小風口放入的困難性,提高工作效率,定位臺與導向筋配合,實現內存條受熱均勻,提高返修合格率。
技術領域
本發明涉及配合件,尤其涉及一種5GDDR內存插槽返修風口。
背景技術
由于5G服務器在內存上需求較多所以都是采用多根密集排列,其中最小間距為1.2mm,傳統風口壁為1-1.5mm,風口放入困難。且內存條較長無法做到均勻受熱所以在返修時合格率較低。
現在國內外插槽返修困難,且傳統風口會導致受熱不均勻,導致返修時合格率低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種可有效解決上述技術問題的5GDDR內存插槽返修風口。
為了達到本發明之目的,采用如下技術方案:一種5GDDR內存插槽返修風口,包括:
導風本體,所述導風本體設有進風部以及配合部,所述配合部橫截面設置成等腰梯形,所述進風部設有一進風口以及出風口,所述進風口面積大于所述出風口面積;
兩定位筋,兩所述定位筋垂直于所述配合部上表面設置;
兩夾緊片,兩所述定位筋均固定連接有一夾緊片,夾緊片厚度為 0.2-0.4mm;
至少一個定位臺,定位臺固定于兩所述定位筋之間;
至少一組導向筋,導向筋固定于所述配合部內。
優選地,定位臺具體為兩個,每組導向筋具體為兩個,且兩定位臺以及導向筋均沿導風本體的中心軸對稱設置。
優選地,導向筋與中心軸之間夾角為30-80度。
優選地,配合部橫截面兩等腰邊夾角為80-150度。
優選地,夾緊片均設兩個腰型孔。
與現有技術相比,本發明具有如下有益效果:
1、夾緊片厚度為0.2-0.4mm,便于返修風口與內存條進行配合,減小風口放入的困難性,提高工作效率,定位臺與導向筋配合,實現內存條受熱均勻,提高返修合格率。
2、夾緊片腰型孔與定位筋配合,便于匹配不同寬度以及高度的內存條,提高夾緊力度。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案,下面將實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。
圖1為本發明實施例中5GDDR內存插槽返修風口整體結構示意圖;
圖2為本發明實施例中5GDDR內存插槽返修風口實施例1結構剖視圖;
圖3為本發明實施例中5GDDR內存插槽返修風口實施例2結構剖視圖;
圖4為本發明實施例中5GDDR內存插槽返修風口實施例3結構剖視圖;
圖5為本發明實施例中5GDDR內存插槽返修風口實施例4結構剖視圖。
圖中數字說明
1、導風本體2、進風部3、配合部4、進風口5、出風口6、定位筋7、夾緊片8、定位臺9、導向筋10、腰型孔。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州歐肯葵電子有限公司,未經蘇州歐肯葵電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911321881.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





