[發(fā)明專利]氣體感應(yīng)元件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911321210.X | 申請日： | 2019-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN113008956A | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 萬霞;饒歡歡;逯新凱;黃隆重;許偉東;黃寧杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江三花智能控制股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/30 | 分類號： | G01N27/30;B01D53/86;B01D53/62;B01D53/02 |
| 代理公司： | 蘇州佳博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32342 | 代理人： | 羅宏偉 |
| 地址： | 312500 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氣體 感應(yīng) 元件 | ||
1.一種氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，包括沿氣體感應(yīng)元件(10)高度方向依次設(shè)置的襯底(101)、隔離層(102)和第一組件；所述隔離層(102)的下表面與所述襯底(101)的上表面至少部分接觸；所述第一組件的下表面與所述隔離層(102)的上表面至少部分接觸；
所述第一組件包括導(dǎo)電薄膜層(103)、光催化納米層(104)、第一電極(11)和第二電極(12)；所述第一電極(11)和所述第二電極(12)均與所述導(dǎo)電薄膜層(103)至少部分接觸；且所述第一電極(11)和所述第二電極(12)相間隔設(shè)置；所述光催化劑納米層(104)與所述導(dǎo)電薄膜層(103)至少部分接觸，且所述光催化納米層(104)的上表面至少部分區(qū)域暴露于環(huán)境中；
所述光催化劑納米層(104)具有用于吸附氣體分子的納米顆粒結(jié)構(gòu)；且所述光催化劑納米層(104)為半導(dǎo)體材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜層(103)至少部分設(shè)置于所述隔離層(102)的上表面；
所述第一電極(11)的下表面和所述第二電極(12)的下表面均與所述導(dǎo)電薄膜層(103)至少部分接觸；
所述光催化劑納米層(104)的至少部分位于所述第一電極(11)和所述第二電極(12)之間；且在所述第一電極(11)和所述第二電極(12)之間的間隔區(qū)域(150)內(nèi)，所述光催化劑納米層(104)覆設(shè)于所述導(dǎo)電薄膜層(103)的上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，在所述第一電極(11)和所述第二電極(12)之間的間隔區(qū)域(150)，所述光催化劑納米層(104)與所述第一電極(11)間隔設(shè)置，所述光催化劑納米層(104)與所述第二電極(12)間隔設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，所述第一電極(11)和所述第二電極(12)均為自所述導(dǎo)電薄膜層(103)的邊沿至中心區(qū)域的方向上具有方形螺旋結(jié)構(gòu)的叉指電極；所述第一電極(11)具有靠近所述導(dǎo)電薄膜層(103)邊沿的第一端子(110)，所述第二電極(12)具有靠近所述導(dǎo)電薄膜層(103)邊沿的第二端子(120)，所述第一端子(110)和所述第二端子(120)對角設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，所述光催化劑納米層(104)為摻雜有銅金屬或者銀金屬的二氧化鈦納米顆粒薄膜；所述光催化劑納米層(104)的厚度為3nm～10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，還包括第三電極(13)，所述第三電極(13)設(shè)于所述襯底(101)的下表面，所述第三電極(13)的上表面與所述襯底(101)的下表面至少部分接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，所述襯底(101)包含N型或者P型硅材料，且所述襯底(101)的電阻率小于等于0.1Ω·cm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，所述隔離層(102)為二氧化硅絕緣層，所述隔離層(102)的厚度為50nm～1000nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，所述第一電極(11)、所述第二電極(12)以及所述第三電極(13)為金屬薄膜電極，所述第一電極(11)、所述第二電極(12)以及所述第三電極(13)中任一電極的材料為鋁或者金或者金鉻合金；且沿所述氣體感應(yīng)元件(10)的高度方向，所述第一電極(11)、所述第二電極(12)以及所述第三電極(13)的厚度分別為50nm～1000nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的氣體感應(yīng)元件(10)，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜層(103)為石墨烯導(dǎo)電薄膜層，所述石墨烯為單層或多層化學(xué)氣相沉積法生長轉(zhuǎn)移石墨烯或剝離石墨烯或還原氧化石墨烯。
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