[發明專利]用于顯示器的發光二極管像素及顯示設備在審
| 申請號： | 201911320178.3 | 申請日： | 2019-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN111508937A | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發明（設計）人： | 張成逵;李豪埈;蔡鐘炫;李貞勛 | 申請（專利權）人： | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/075 | 分類號： | H01L25/075;H01L25/13;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/50;H01L33/20;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艷;玉昌峰 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 顯示器 發光二極管 像素 顯示 設備 | ||
1.一種用于顯示器的發光二極管像素，所述發光二極管像素包括：
第一子像素，包括第一LED堆疊；
第二子像素，包括第二LED堆疊；以及
第三子像素，包括第三LED堆疊，
所述第一LED堆疊、第二LED堆疊和第三LED堆疊分別包括第一導電型半導體層和第二導電型半導體層，
所述第一LED堆疊、第二LED堆疊和第三LED堆疊設置在彼此不同的高度，并且在水平方向上隔離開以彼此不重疊。
2.根據權利要求1所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述第一LED堆疊、所述第二LED堆疊和所述第三LED堆疊分別發射彼此不同波長的光。
3.根據權利要求1所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述第二子像素和所述第三子像素還包括分別設置在所述第二LED堆疊和所述第三LED堆疊下方的至少一個接合層。
4.根據權利要求3所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
設置在所述第二LED堆疊下方的接合層的數量大于設置在所述第三LED堆疊下方的接合層的數量。
5.根據權利要求3所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述第一子像素和所述第二子像素還包括分別設置在所述第一LED堆疊和所述第二LED堆疊的上方的至少一個接合層。
6.根據權利要求5所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
至少兩個接合層設置在所述第一LED堆疊的上部區域中。
7.根據權利要求1所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述第一子像素還包括第一-2歐姆電極，所述第一-2歐姆電極設置在所述第一LED堆疊下方，并且與所述第一LED堆疊的第二導電型半導體層形成歐姆接觸，
所述第一-2歐姆電極包括反射層。
8.根據權利要求7所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述反射層向所述第二LED堆疊和所述第三LED堆疊下方延伸以與所述第二LED堆疊和所述第三LED堆疊重疊。
9.根據權利要求8所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述第二LED堆疊的第二導電型半導體層和所述第三LED堆疊的第二導電型半導體層共同電連接到所述第一-2歐姆電極。
10.根據權利要求9所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述第一子像素還包括與所述第一LED堆疊的第一導電型半導體層形成歐姆接觸的第一-1歐姆電極，
所述第二子像素還包括與所述第二LED堆疊的第一導電型半導體層形成歐姆接觸的第二-1歐姆電極和與所述第二LED堆疊的第二導電型半導體層形成歐姆接觸的第二-2歐姆電極，
所述第三子像素還包括與所述第三LED堆疊的第一導電型半導體層形成歐姆接觸的第三-1歐姆電極和與所述第三LED堆疊的第二導電型半導體層形成歐姆接觸的第三-2歐姆電極，
所述第二-2歐姆電極和所述第三-2歐姆電極電連接到所述第一-2歐姆電極。
11.根據權利要求10所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述第二-2歐姆電極和所述第三-2歐姆電極分別為透明電極。
12.根據權利要求8所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素設置在支撐基板上，
所述發光二極管像素還包括介于所述反射層和所述支撐基板之間的接合層。
13.根據權利要求1所述的用于顯示器的發光二極管像素，其中，
所述發光二極管像素還包括圍繞所述第一子像素的側表面、所述第二子像素的側表面和所述第三子像素的側表面的光阻擋層。
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