[發明專利]一種MoSe2 有效
| 申請號： | 201911317239.0 | 申請日： | 2019-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN111082287B | 公開（公告）日： | 2022-02-18 |
| 發明（設計）人： | 周譯玄;徐新龍;范澤宇;黃媛媛 | 申請（專利權）人： | 西北大學 |
| 主分類號： | H01S1/02 | 分類號： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 西安恒泰知識產權代理事務所 61216 | 代理人： | 李婷;金艷婷 |
| 地址： | 710069 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mose base sub | ||
1.一種MoSe2/鐵磁金屬太赫茲輻射源，其特征在于，包括基底、沉積在基底上的MoSe2以及沉積在MoSe2上的鐵磁金屬；
MoSe2層的厚度為0.72～8nm；鐵磁金屬層的厚度為3～20nm；
所述的鐵磁金屬為鈷金屬或鈷鐵硼合金。
2.如權利要求1所述的MoSe2/鐵磁金屬太赫茲輻射源，其特征在于，所述的MoSe2為p型或n型摻雜的MoSe2。
3.如權利要求1所述的MoSe2/鐵磁金屬太赫茲輻射源，其特征在于，所述的鐵磁金屬通過真空蒸鍍或磁控濺射的方法沉積在MoSe2的表面。
4.如權利要求1所述的MoSe2/鐵磁金屬太赫茲輻射源，其特征在于，所述的MoSe2通過化學氣相法、液相剝離法、外延生長法或氧化還原方法沉積在基底上。
5.如權利要求1所述的MoSe2/鐵磁金屬太赫茲輻射源，其特征在于，所述的基底為石英、藍寶石或云母。
6.權利要求1至5任一項所述的MoSe2/鐵磁金屬太赫茲輻射源的制備方法，其特征在于，包括：首先將基底表面清洗干凈，然后使用化學氣相法、液相剝離法、外延生長法或氧化還原法在基底上沉積MoSe2層，最后使用真空蒸鍍或磁控濺射的方法在MoSe2層的表面沉積鐵磁金屬層，得到MoSe2/鐵磁金屬太赫茲輻射源。
7.一種太赫茲波激發方法，其特征在于，該方法包括：對權利要求1至5任一項所述的MoSe2/鐵磁金屬太赫茲輻射源施加磁場，再使用泵浦光入射到該太赫茲輻射源的鐵磁金屬上，產生太赫茲波。
8.如權利要求7所述的太赫茲波激發方法，其特征在于，所述的泵浦光采用中心波長為400～800nm，脈沖寬度為10～100fs，重復頻率為1～100kHz的飛秒激光。
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