[發明專利]R-T-B系磁體材料、原料組合物及制備方法和應用

在審

• 申請號: 201911316696.8
• 申請日: 2019-12-19
• 公開（公告）號: CN110957093A
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 付剛;陳大崑;黃佳瑩;黃清芳;許德欽
• 申請（專利權）人: 廈門鎢業股份有限公司;福建省長汀金龍稀土有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦;倪麗紅

1.一種R-T-B系磁體材料的制備方法，其特征在于，將R-T-B系磁體材料的原料組合物的熔融液經熔鑄、氫破、成形、燒結和時效處理，即可；

所述R-T-B系磁體材料的原料組合物以質量百分比計，包括如下含量的組分：R’：29.5~32%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr；

其中，所述Pr：17.15~28.15%；

1.3Cu≤2.5%；

B：0.9~1.2%；

Fe：61~68%，百分比是指占所述R-T-B系磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；

所述的R-T-B系磁體材料包括晶界富Fe相；所述的晶界富Fe相，以質量百分比計，包括如下含量的組分：R’：49~60%，所述R’為稀土元素，所述R’包括Pr；T：39~50%，所述T包括Fe；M：1.5~4%，所述M包括Cu；百分比為各組分質量占所述晶界富Fe相總質量的質量百分比。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述R’的含量為29.65~31.65%，百分比是指占所述R-T-B系磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述Pr的含量為17.15%、18.15%、19.15%、20.15%、20.85%、21.15%、22.15%、22.85%、23.15%、24.15%、25.15%、25.85%、26.15%或28.15%，百分比是指占所述R-T-B系磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述R’還包括Nd；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述R’還包括RH，所述RH為重稀土元素；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述Cu的含量為1.31%、1.4%、1.5%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%、2%、2.1%、2.2%、2.3%、2.4%或2.5%，百分比是指占所述R-T-B系磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述B的含量為0.92~1.2%；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述Fe的含量為61.8~68%；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中還包括Al、Ga、Co、Mn、Ni、Zn、Ag、In、Sn、Bi、V、Cr、Ta和W中的一種或多種；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中還包括N，所述N的種類包括Zr、Ti或Nb。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述R’的含量為29.65%、30.15%、30.3%、30.35%、30.65%、31.15%、31.35%或31.65%；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述Nd與所述R’的質量比小于0.5；所述Nd的含量在15%以下，百分比是指占所述R-T-B系磁體材料的原料組合物總質量的質量百分比；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述RH的種類包括Dy、Tb和Ho中的一種或多種；所述RH占所述R’的質量比＜0.253。

4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述Nd與所述R’的質量比為0.08~0.45；所述Nd的含量為2.5~14.5%；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述RH的種類包括Dy和/或Tb；所述RH占所述R’的質量比為0.1~1。

5.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述Nd的含量為2.5%、3.5%、4.5%、5.5%、6.5%、7.5%、8.5%、9.5%、10%、10.15%、10.5%、11.5%、12%、12.5%、13%、13.5%或14%；

和/或，所述R-T-B系磁體材料的原料組合物中，所述RH的含量在2.5%以下。