[發(fā)明專利]氟化物熒光體的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911315175.0
• 申請日: 2019-12-19
• 公開（公告）號: CN111349435A
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設計）人: 吉田智一
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業(yè)株式會社
• 主分類號: C09K11/61
• 分類號: C09K11/61;H01L33/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 沈雪

1.一種氟化物熒光體的制造方法，該制造方法包括：

準備氟化物粒子，該氟化物粒子具有含有選自堿金屬元素及NH₄⁺中的至少1種元素或離子A、選自第4族元素及第14族元素中的至少1種元素M、Mn⁴⁺、以及F的組成，且具有1摩爾組成中的A的摩爾比為2，M與Mn⁴⁺的總摩爾比為1，Mn⁴⁺的摩爾比大于0且小于0.2，F(xiàn)的摩爾比為6表示的組成；

在非活性氣體氣氛中、于500℃以上的溫度下對所述氟化物粒子進行第一熱處理；

用清洗液對第一熱處理后的氟化物粒子進行清洗；以及

使清洗后的氟化物粒子與含氟物質接觸，在400℃以上的溫度下進行第二熱處理。

2.根據(jù)權利要求1所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，所述氟化物粒子含有下述式(I)表示的組成，

A₂[M_1-aMn⁴⁺_aF₆] (I)

式(I)中，A為選自堿金屬元素及NH₄⁺中的至少1種元素或離子，M為選自第4族元素及第14族元素中的至少1種元素，a為滿足0＜a＜0.2的數(shù)。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，所述非活性氣體包含氮氣。

4.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，在650℃以上且750℃以下的溫度范圍內進行所述第一熱處理。

5.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，所述清洗液為水。

6.根據(jù)權利要求1～5中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，所述清洗液含有還原劑。

7.根據(jù)權利要求1～6中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，所述含氟物質為選自F₂、CHF₃、CF₄、NH₄HF₂、NH₄F、SiF₄、KrF₂、XeF₂、XeF₄及NF₃中的至少1種。

8.根據(jù)權利要求1～7中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，在425℃以上的溫度下進行所述第二熱處理。

9.根據(jù)權利要求1～8中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，在450℃以上且550℃以下的溫度范圍內進行所述第二熱處理。

10.根據(jù)權利要求1～9中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，在所述第二熱處理的溫度下的保持時間為在所述第一熱處理的溫度下的保持時間的1倍以上。

11.根據(jù)權利要求1～10中任一項所述的氟化物熒光體的制造方法，其中，所述A為K，所述M為Si。