[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 201911312888.1
• 申請日: 2018-07-30
• 公開（公告）號: CN111509099A
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 李剡劤;申贊燮;梁明學;李珍雄
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/62;H01L33/10
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 馮志云;李英艷

1.一種發光二極管，包括：

半導體疊層體，包括第一導電型半導體層和位于所述第一導電型半導體層上的臺面，所述臺面包括活性層和第二導電型半導體層；

ZnO層，位于所述第二導電型半導體層上；

下絕緣層，覆蓋所述ZnO層和所述臺面，并具有使所述第一導電型半導體層暴露的開口部和使所述ZnO層暴露的開口部；

第一焊盤金屬層，與所述第一導電型半導體層電接通；

第一凸起焊盤，布置于所述下絕緣層上，并通過所述下絕緣層的開口部電接通于所述第一導電型半導體層；以及

第二凸起焊盤，布置于所述下絕緣層上，與所述第一凸起焊盤在水平方向上隔開，并通過所述下絕緣層的開口部電接通于所述ZnO層，

所述下絕緣層的開口部之下的所述ZnO層的厚度比被所述下絕緣層覆蓋的ZnO層的厚度薄，

所述第一凸起焊盤包括從所述第二凸起焊盤凸出的區域，

所述第二凸起焊盤包括凹陷的區域，并且形成為包圍所述第一焊盤金屬層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，

所述下絕緣層的開口部之下的所述ZnO層的厚度比被所述下絕緣層覆蓋的ZnO層的厚度薄40nm至100nm。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其中，

所述下絕緣層的開口部之下的所述ZnO層的厚度是100nm以上。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，

所述下絕緣層沿著所述臺面邊緣使所述第一導電型半導體層暴露。

5.根據權利要求4所述的發光二極管，其中，

所述第一焊盤金屬層與沿著所述臺面邊緣暴露的第一導電型半導體層接通。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，

下絕緣層包括沿著所述臺面邊緣使所述第一導電型半導體層暴露的多個開口部，

所述第一焊盤金屬層通過所述多個開口部接通于所述第一導電型半導體層。

7.根據權利要求6所述的發光二極管，其中，

所述臺面包括沿著側面布置的多個槽，

所述下絕緣層的多個開口部對應于所述多個槽布置。

8.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，

所述第一焊盤金屬層具有沿著發光二極管的長度方向長的形狀。

9.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，

所述第一凸起焊盤和所述第二凸起焊盤具有比所述臺面的寬度窄的寬度。

10.根據權利要求9所述的發光二極管，其中，

所述第一凸起焊盤限定在所述臺面的上方區域內。